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第二章 双极型晶体管及其放大电路 ② 管子C、E间反向饱和漏电流 故有 e R B U BE on b I B Q βI B Q c I C Q U CC R C ＋ － U CE Q U BB 2.4.2 静态工作点的图解分析法 直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，并求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。 一、IBQ、UBEQ的求解 R B U CC R C IBQ、UBEQ一般不用图解法确定，而用估算法。 UBEQ 0.7（硅管）或0.3（锗管） R B U CC R C 二、ICQ、UCEQ的求解 输出特性曲线与输出回路方程的交点为静态工作点。 R B U CC R C i B ＝ I B Q u C E 0 N Q M i C UCEQ UCC ICQ UCC RC a 直流负载线与Q点 直流负载线 例4 在图2―20 a 电路中，若RB 560kΩ, RC 3kΩ,UCC 12V，晶体管的输出特性曲线如图2―21 b 所示，试用图解法确定直流工作点。 R B U CC R C I B Q I C Q ＋ － U CE Q a 直流通路 输出回路满足： UCC UCEQ+ICQ×RC 图2―21放大器的直流图解分析 b Q点与RB、RC的关系 u C E / V 2 10 12 0 1 2 3 40 μ A 30 μ A 20 μ A 10 μ A i C / m A 4 6 8 4 M N Q ① ② R B Q 3 Q 2 Q 4 R C R B Q 1 R C RB 560kΩ, RC 3kΩ,UCC 12V 直流负载线:UCC UCEQ+ICQ×RC 即:12V UCEQ+ICQ×3K R B U CC R C I B Q I C Q ＋ － U CE Q 二、共发射极输入特性曲线 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I b I BN I EP I EN I CN C1 图2―6 共发射极输入特性曲线 （1）0 UCE 1 时，随着 UCE 增加，曲线右移，特别在 0 UCE UCE SAT , 即工作在饱和区时，移动量将更大一些。 （2） UCE 1 时，进入放大区，曲线近似重合。 2.2.3 温度对晶体管特性的影响 T ↑，uBE↓： T ↑， ICBO ↑ ： T ↑， β ↑ ： 2-2-2 晶体管的主要参数 1、电流放大系数 1. 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。 2. 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。一般 在以后的计算中，不必区分。 4.共基交流放大系数 3.共基直流放大系数 在以后的计算中，不必区分。 二、反向饱和电流 是指管子各电极之间的反向漏电流参数。 发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集电极反向饱和电流。 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B 15V b I BN I EN I CN I CBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集电极穿透电流。 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B 15V b I BN I EN I CN I CBO 即输出特性曲线IB 0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ② 管子B、E间反向饱和漏电流 集电极开路时，基极—发射极间的反向电流。 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I CN I EBO 三、极限参数 使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。 1、反向击穿电压 三极管击穿电压的测试电路 例如： U BR CBO 115V, U BR CEO 60V， U BR EBO 8V。 β值与IC的关系 在输出特性曲线上决定β 2、最大允许集电极电流ICM ICM 指β下降到额定值的2/3时 的IC值。 3、集电极最大允许功耗PCM 图2―7 晶体管的安全工作区 功耗线 过流区 过压区 过耗区 例题： ICM 20mA,PCM 100mA U BR CEO 20V 则当UCE 10V时，IC __mA UCE 1V时，IC __mA IC 2mA时，UCE __V 10 20 20 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三