低频电子线路(傅丰林)第1章技巧.ppt

第 1 章;1.1 半导体的基础知识;1. 半导体及其材料 ;掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，其电阻 率大大下降而导电能力显著增强。据此可 制作各种半导体器件，如二极管和三极管 等。;光敏性：当受到光照时，半导体的电阻率随着光照增强而下降，其导电能力增强。据此可制作各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。;半导体的原子结构:;半导体的共价键结构;本征激发（热激发）;本征激发（热激发）;4. 本征半导体的导电机理 ; 1.1.1 本征半导体 ; ; ;1.1.2 杂质半导体;这种电子为多数载流子的杂质半导体称为N型半导体。; 在本征半导体中掺入微量三价元素物质（硼、铝等）而得到的杂质半导体。;1.1.2 杂质半导体;这种空穴为多数载流子的杂质半导体称为P型半导体。;扩散运动—载流子受扩散力的作用所作的运动称为扩散运动。 扩散电流—载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。 ;漂移运动—载流子在电场力作用下所作的运动称为漂移运动。 漂移电流—载流子漂移运动所形成的电流称为漂移电流。 ;1.2 PN结与晶体二极管;1. PN结的形成 ;1.PN结的形成 ;UΦ：势垒电压 UΦ= 0.6~0.8V 或 0.2~0.3V;小结 载流子的扩散运动和漂移运动既互相联系又互相矛盾。 漂移运动=扩散运动时，PN结形成且处于动态平衡状态。 PN结没有电流通过。;2. PN结的特性 ;(1)单向导电性 ;加偏压时的耗尽层;流过PN结的电流随外加电压U的增加而迅速上升，PN结呈现为小电阻。该状态称：;加反向偏压时的耗尽层;加反向偏压时的耗尽层;小结 PN结加正向电压时，正向扩散电流远大于漂移电流，PN结导通；PN结加反向电压时，仅有很小的反向饱和电流IS，考虑到IS?0，则认为PN结截止。 PN结正向导通、反向截止的特性称PN结的单向导电特性。;击穿——PN结外加反向电压且电压值超过一定限度时，反向电流急剧增加而结两端电压基本不变的现象。; 雪崩击穿;雪崩击穿(碰撞击穿);齐纳击穿(电场击穿);PN结存在电容效应。这将限制器件工作频率。;势垒电容CT;扩散电容CD;小结 PN结正向运用时 CT、CD同时存在，CD起主要作用 PN结反向运用时，只有CT 。;点接触型 ;伏安特性图 ;伏安特性图 ; 伏安特性图 ;伏安特性的温度特性：;正向特性近似;表征性能;直流电阻 RD ： 定义 RD = U / I |Q点处 RD是 u 或 i 的函数 ;交流电阻 rd ： 定义 rd = du / di |Q点处 计算 rd = UT / IQ ;最大允许整流电流IOM ： 工作电流IOM易导致二极管过热失效 最高反向工作电压URM : 允许加到二极管(非稳压管)的最高反向电压 最大允许功耗PDM : 实际功耗大于PDM 时易导致二极管过热损坏 ;稳压管;稳压管主要参数;Ur为门限电压;变容二极管 ;图解法 迭代法 折线化近似法; i = f (u );迭代法;—— 将实际二极管的V-A特性曲线作折线化近似。;考虑门限电压和 正向导通电阻的 特性曲线;例1-1：半波整流电路中VD 理想，画出uO (t)波形。 ; 1.2.3 晶体二极管电路;结合图中给定的参数分析： VD1、VD2 开路时，阳极对地电位为+5V，阴极对 地电位分别为+1V、0V，;uO ( t ) 取决于VD 是否导通。 ;限幅电路; RL上所得电压值即为VZ管所承受的反向电压值，分别为：8V、7.2V、4V和2.4V。 ;1.3 晶体三极管;三极管存在：两结三极三区;三极管四种状态; 1.3.3 晶体三极管的放大原理;发射区向基区注入电子( IEn ) ： 发射极电流IE ? IEn 注入电子在基区边扩散边复合( IBn ) ： 是基极电流IB 的一部分;三极管放大应满足两方面条件： 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 内部条件：薄基区 发射区重掺杂基区轻掺杂;电流分配关系图;定义;电流分配关系;;; 1.3.4 晶体三极管特性曲线;曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区;曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区; 1.3.4 晶体三极管特性曲线; 特点： 穿透电流----ICEO 计算:ICEO=(1+ )ICBO ;曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区;曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区;关系;极限功率----集电极最大允许功耗PCM; ICBO 的温度特性