原创力文档- 1、本文档共15页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
BioMEMS Chapter 2 electronic material processing;2.1 Introduction;2.2.1 Oxide Film Formation by Thermal Oxidation ;2.2.3 Deposition of Silion Dioxide and Silicon Nitride;Step coverage：
CVD與熱氧化法比較;2.2.3 Polysilicon Film Deposition;2.3 Pattern Transfer;微影效能性質的三項參數：
解析度（resolution）
對準度（registration）
產出（throughput）
微影的光源：
UV
e-beam
X- ray
圖案轉印方式：
Shadow printing
Projection Printing;2.3.2 Mask Formation;2.3.3 Resist;光阻材料
形成光阻層的方法：spin coating
Lift-off teshique：以正光阻製作高解析度獨立元件;2.4 Etching Electronic Materials;乾式蝕刻（dry etching）
多晶矽蝕刻
蝕刻氣體：氯
反應：
nCl → nCl+ + ne , e + Cl2 → 2Cl + e
nCl = Si + nCl → SiCln
蝕刻系統
;蝕刻的方向性
Doping的目的：
Doping的??子結構狀態：;Doping材料
Doping的方法
擴散（diffusion）
離子佈植（Ion Implantation）
文档评论（0）