表面电子输运详解.pptVIP

引言 一、表面态电导 二、表面空间电荷层电导 三、非平衡态下的载流子 四、表面复合 五、金属与半导体的接触;电子结构 :电子态在空间的位置分布（波函数），电 子态的能量分布（态密度）以及能量E与波 矢 k 的关系(能谱) E(k) 总称为电子结构 ;表面的存在破坏了晶体原有的三维平移周期性，因而三维波矢不再是表征电子态的好量子数； И.E.塔姆于1932年最先提出,在周期性势场中断的表面,存在局域的表面电子态； 在平行于表面的平面里，仍然存在二维的平移周期性(可能与晶体原来的周期性相同,也可能因为表面原子排列的畸变使它们的排列具有更大的周期─再构现象) 因此,表面电子能谱E(k)中的波矢 k 限制在二维布里渊区内，是平行于表面的二维波矢！ ;载流子：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子。 金属中为电子，半导体中有两种载流子即 电子和空穴。 ;迁移率:载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平 均漂移速度 — 载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度 — 运动得慢，迁移率小； — 运动得快，迁移率大； — 电子的迁移率高于空穴！;;表面空间电荷层：在金属中，自由电子密度很高，表面电荷基本上分布在一个原子层厚度范围内，与金属相比，由于半导体载流子密度要低的多，电荷必须分布在一定厚度的表面层内，这个带电的表面层为表面空间电荷层。;表面电导：表面区范围内的电导 — 平行于表面的某 一方向加上一处电场，表面空间电荷层 间的载流子作定向运动;表面过剩载流子：表面电势VST ≠ 0时，空间电荷层的 电子和空穴数与体内的差别;表面势;一、表面态电导;半导体Si表面电导率= 10-6 —103 A/V (室温) = 10-11 —10-3 A/V (100K);二、非平衡态下的载流子;产生:使非平衡载流子浓度增加的运动 产生率G:单位时间、单位体积内增加的电子空穴对 数目;?以 N 型半导体为例，在非平衡状态下载流子浓度为：;光注入：强光注入与弱光注入;少子： n 型材料中空穴是少数平衡载流子 多子： n 型材料中电子是多数平衡载流子;结论： ※ 在光照过程中，产生与复合同时存在，在恒定 持续光照下产生率保持在高水平，同时复合率 也随非平衡载流子的↑而↑ ，直至二者相等， 系统达到新的平衡。;2、复合与非平衡载流子寿命τ;τ的大小与材料的微观复合结构、掺杂、缺陷有关。;★ 电子从导带落入到复合中心称电子俘获 ★ 电子从复合中心落入价带称空穴俘获 ★ 电子从复合中心被激发到导带称电子发射 ★ 电子从价带被激发到复合中心称空穴发射;三、表面复合;表面势为负值时，表面处能带向上弯曲，在热平衡状态下，半导体内费米能级为一定值，随着向表面接近，价带顶将逐渐移近甚至超过费米能级，同时，价带中的空穴浓度也随之增加，结果表面层内出现空穴的堆积而带正电。;表面态占有几率 fi 随时间的变化满足关系式；;四、金属与半导体的接触;要使电子从金属中逸出，必须由外界给它以足够的能量 ∴金属内部的电子是在一个势井中运动。;功函数的大小标志： 电子在金属中束缚的强弱，Wm ↑ ，电子越不容易离开金属!;设想: 有一块金属和一块 n 型???导体, 有共同真空静止电子能级，并假定金属的功函数 半导体的功函数：;∴ 降低了金属的电势,提高半导体的电势;光电子能谱是研究表面电子态的重要方法之一! 真空紫外辐射的光子可将固体体内价态中的电子或表面态的电子激发到较高能态，通过一系列的碰撞过程，逃逸出表面，测量这些电子的能量分布曲线，可得到有关占有状态密度的信息。 由于表面态电子和体内电子服从不同的选择定则，可通过测量光子能量不同的能量分布曲线，其中不随光子能量变化而移动的峰即相应于表面态的峰!;电子的隧道过程也可探测表面电子态! 当离子接近固体表面时，表面价态中电子可通过隧道效应和离子中和，放出的能量可用来把固体价态的电子激发到体外，利用这种过程来探测表面电子