MEM制造技术—赖刘生分解.pptx

MEMS的制造技术;腐蚀工艺简介;1 体微加工 ; 腐蚀机理： KOH+H2O=K++2(OH)-+H+ Si+2(OH)-+4H2O Si(OH)2- Si(OH)62-+6(CH3)2CHOH=[Si(OC3H7)6]2-+6H2O ;图4.1 常用湿法腐蚀的硅孔图形;图4.2 表面取向对腐蚀速率的影响与温度的关系;图4.3 腐蚀速率与腐蚀温度的关系（高HF区，无稀释）;图4.4 腐蚀速率与温度的关系（H2O稀释）;图4.5 腐蚀速率与成分的关系; 图4.6分别用H2O和CH3COOH作为稀释剂的HF-HNO3系统腐蚀硅的等腐蚀线。共同点： （1）在低HNO3及高HF区，等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线，该区有过量的HF可溶解反应物SiO2 ，腐蚀速率受HNO3 浓度的控制。 （2）在低HF和高HNO3区，等腐蚀曲线平行于HF浓度线。 （3）当HF：HNO3=1:1，稀释液浓度百分比小于10%时，草原稀释 液从10%～30%，腐蚀速率随秋耕稀释液的增加呈减小；稀释液大于30%后，稀释的微小变化会引起腐蚀速率的很大变化。 ; ;表4.1 在室温下HNA系统硅的各向同性腐蚀;1. 3 硅体的各向异性刻蚀;表4.2 硅体常用的各向异性腐蚀剂;（1）刻蚀机理 硅体各向异性腐蚀剂基本是碱性，而氢氧化钾占一半以上，因 此它是重要的和常用的腐蚀剂。 Si+2OH-=Si(OH)2+++4e- 4H2O+ 4e-=4H2O- 4H2O-=4OH-+2H2 Si(OH)2+++4OH-= Si(OH)2-- + 2H2O 总反应 Si+2OH-+ 2H2O=SiO2(OH)2-- +2H2 （2）各向异性刻蚀的物理机理 在某些腐蚀剂中，单晶硅的各个晶体取向上，其腐蚀速率差异 很大。 ;图4.7 体硅微机械的基本结构;1. 4 硅刻蚀的干法技术; 干法腐蚀的种类很多， 物理方法—离子腐蚀，离子束腐蚀 化学方法—等离子体腐蚀； 物理与化学结合的方法—反应离子腐蚀，反应离子束腐蚀。 ;2 硅体刻蚀自停止技术;工艺流程如下： （1）在轻参杂的N型或P型硅表面通过扩散、离子注入或外延工 艺产生一层重掺杂P+层。 （2）在硅片背面热生长一层SiO2,或用其他方法（如CVD等）生 长一层Si3N4,作为腐蚀窗口的掩模，一般控制在1um～2um。 （3）照所需要求在SiO2或Si3N4掩模上刻出窗口，窗口边缘沿 （110）方向，并在KOH溶液中腐蚀。 ;图4.8 重参杂硼的硅自停止腐蚀工艺;2.2 （111）面自停止腐蚀技术;图4.9 111面自停止腐蚀工艺; ??1）在重参杂P+或N+（111）面的单晶硅上外延生成一层N型或P型 硅膜。 （2）将该硅片与另一片N或P型（100）晶向硅通过硅-硅键合工艺 使其结合在一起。 （3）用CH3COOH：HNO3：HF=8:3:1腐蚀液将重参杂的硅腐蚀干净。 （4）在（100）硅衬底的背面开出窗口，并在KOH腐蚀液中腐蚀， 到（111）面时，腐蚀自动停止，最后的孔腔边界由5个（111）面 构成。;2.3 P-N结腐蚀自停止技术;图4.10 P型硅和N型硅在KOH腐蚀液中的I-V特性;2.4 电化学自停止腐蚀技术;Thanks！