半导体制造工艺_05光刻(下)技术方案.pptVIP

光刻胶的一些问题;2、下层反射造成驻波，下层散射降低图像分辨率。;驻波对于光刻图形的影响;光刻步骤简述;光刻步骤详述;硅片对准，曝光;坚膜：10～30 min，100～140 ?C;Stepper Scan System;图形转移——刻蚀;图形转移——剥离（lift-off）;去胶 溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮;光源;248 nm;2、Reducing resolution factor k1;Alternating PSM Attenuated PSM ……;2.光学光刻分辨率增强技术(RET) ;OPC实例;3、离轴照明技术 OAI (off-axis illumination);Mask design and resist process;Lens fabrication;21;22;EUV;Minimum feature size ;EUV（Extreme ultra violet);反射式掩模版;电子束图形曝光;光栅扫描（左）和矢量扫描;电子束光刻问题：1）速度慢！;电子束光刻问题：2）电子散射及二次电子：线条宽束斑;电子束源： 热电子发射 场发射 光发射;电子束抗蚀剂;邻近效应;X射线图形曝光（XRL）;35;X射线图形曝光的几何效应;???子束图形曝光;不同图形曝光方法的比较;各种图形曝光技术的比较如下;光刻总结