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PAGE  PAGE 16 电池片生产工艺流程 1清洗制绒2磷扩散3等离子体刻蚀4去磷硅玻璃（去PSG)5镀减反射膜（PECVD）6印刷及烧结7测试包装 1. 清洗制绒工艺流程 酸 洗 清水漂洗 扩 散 制 绒 插片同时检验硅片外观 甩 干 合格 合格 不合格 不合格 清水清洗 仓 库 1.清洗制绒工艺流程 （a）原理： 硅片通过弱碱腐蚀后，表面呈现金字塔形状，利用陷光效应，减少了硅片表面对光的反射，可以提高光电转换效率。 （b）工艺过程： 将硅片插入片篮，通过弱碱腐蚀，表面形成绒面（如果硅片表面不干净，制绒前先要经过超声预清洗）。制绒后先经过清水漂洗，再通过氢氟酸和盐酸酸洗，去除表面残余的碱溶液，再次漂洗后，通过甩干的方法，得到干燥和洁净的硅片表面，然后将硅片送入扩散工序。 2. 扩散工艺流程 接 片 合格 合格 不合格 不合格 清 洗 插 片 上 桨 扩 散 下 桨 方块电阻,少子寿命测试 卸 片 刻 蚀 2.扩散工艺流程 （a）原理： 通过高温磷扩散，使得硅片表面形成重掺磷层（N型），与P型基体形成P-N结，P-N结能够分离光照形成的电子-空穴，在光照下在硅片上下表面之间形成光生电压，即具有了发电能力。形成P-N结是电池工艺过程中最核心的工序。 （b）工艺过程： 先将硅片插入石英舟，再将石英舟放在碳化硅桨上，进入扩散炉进行高温扩散（超过800℃）。扩散过程中，向炉中通入携带三氯氧磷的氮气，同时通入氧气。三氯氧磷在高温下分解，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子通过磷硅玻璃向硅片表面和体内扩散，形成P-N结。扩散后，将石英舟从桨上取下，待冷却后，取下硅片，进行方块电阻的抽检，抽检合格，则将硅片送入刻蚀工序。 3. 等离子体刻蚀工艺流程 刻蚀 去PSG 合格 插片 不合格 扩散 3.等离子刻蚀工艺流程 （a）原理： CF4分子在高能量电子的碰撞下形成等离子体，在电场作用下到达SiO2表面并发生化学反应，使得硅片边缘被刻蚀，以达到硅片的上下表面相绝缘的目的。 （b）工艺过程： 先将整叠硅片整理对齐，放入刻蚀专用夹具，送入刻蚀机，通入CF4和O2，使得硅片边缘一圈被刻蚀。刻蚀结束后，用冷热探针测试硅片边缘的PN型，以此确定刻蚀的完整性。检验合格后，将硅片插入塑料片篮，送入去PSG工序。 4. 去PSG工艺流程 酸洗去磷 PECVD 合格 甩干 不合格 刻蚀 4.去PSG工艺流程 （a）原理： 用低浓度的氢氟酸将硅片表面的磷硅玻璃去除，以符合PECVD镀膜的要求。 （b）工艺过程： 硅片插入片篮后，先经过低浓度氢氟酸的清洗，和多次清水漂洗，再经过甩干，当硅片表面达到干燥和洁净的要求后，送入PECVD工序。  5. PECVD工艺流程 去PSG 放片 镀膜 收片 插片 不合格 合格 印刷 5.PECVD工艺流程 （a）原理： 在450℃高温下，硅烷和氨气在等离子体作用下，分解成硅和氮的活性基体，硅和氮原子在硅片表面沉积，形成一层氮化硅膜，氮化硅膜可以显著减少光的反射损失，同时对硅片表面有一定的钝化作用，从而提高了电池的转换效率。 （b）工艺过程： 用吸笔将硅片从片篮中取出，然后放到石墨板上，石墨板进入PECVD腔体内进行镀膜。在450℃下，硅烷和氨气在等离子体作用下，分解成硅和氮原子，硅和氮原子在硅片表面沉积，形成一层氮化硅膜。镀膜结束后，用石英吸笔将冷却后的硅片从石墨板上取下，插入片盒，送入印刷工序。 印刷正银 印刷背铝、烘干 印刷背银、烘干 PE 烧结 测试包装 6. 印刷烧结工艺流程 6.印刷烧结工艺流程 （a）原理： 利用镂空的网版对浆料的选择性透过的原理进行丝网印刷，将正面印上正银电极，在背面印上背银电极和背铝层，经过固化烧结后，形成正反两个表面的电极，使得光照生成的电子能够通过电极被收集，形成导通回路，从而达到输出电能的目的。 （b）工艺过程： 先在硅片一面印上背银电极，经过低温烘干后，再印上背铝层，经过第二次低温烘干后，再将硅片翻面印上正银电极，然后通过低温烘干和高温烧结，使得电极嵌入表面，形成牢固的力学接触和良好的电学连接。这道工艺后，电池的制造过程结束，最后电池被送入测试分选工序。 7. 测试包装工艺流程 入 库 包 装 分选外观 测试效率 备注：菱形符号代表所在工序进行过程质量检查。 7.测试包装工艺流程 （a）原理： 电池在模拟太阳光谱的氙灯照射下，通过对