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综述·动态·评论 磁性薄膜高频特性研究进展 巩英明 （中国电子科技集团公司 第九研究所，四川绵阳 621000） 摘 要：对国内外近年来在磁性薄膜高频特性的研究进展进行了较为系统的总结。包括单层膜到多层膜的转变促进高频特性的改善；不同材料对（金属层/绝缘层）对多层膜高频特性的影响；一些特殊材料薄膜的高频特性；退火效应对磁性薄膜高频特性的影响；薄膜的微结构和薄膜特性的关系等几方面。 关键词：磁性多层膜；高频特性；退火效应 中图分类号: O484.4+3 文献标识码: A 文章编号：1001-3830(2008)04-0008-04 Research Progress on High Frequency Characteristics of Magnetic Thin Films GONG Ying-ming Ninth Institute of China Electronic Science and Technology Group Corporation, Mianyang 621000, China Abstract: Research progress of recent years on high frequency characteristics of magnetic thin films were summarized systematically. The covered aspects includes the improvement of high frequency characteristics by changing single layer to multi-layer films; the effect of different material pair (metal layer/insulation layer) on the high frequency characteristics of multi-layer films; the high frequency characteristics of some special film materials; the effect of annealing on the high frequency characteristics of magnetic thin films; and the dependence of the film characteristics on its microstructrue, etc. Key words: magnetic multi-layer film; high frequency characteristics; annealing effect 1 引言收稿日期：2008-05-03 修回日期：2008-06-06 作者通信：E-mail: gym@ 集成电路技术的高速发展为电子器件的微型化提供了条件，但集成电路中电感和变压器等磁性器件的微型化一直是难以克服的难题，因而磁性薄膜成为人们研究的热点。电子材料的发展要求磁性器件有更优良的高频性能。涡流损耗的大小和铁磁共振频率（FMR）的高低对磁导率()高频响应特性的好坏有直接影响。前者可通过提高材料的电阻率()来降低，后者可通过提高磁晶各向异性场（Hk）来提高。高的饱和磁化强度是高磁导率的基础。因此，高的饱和磁化强度（Ms）、各向异性场（Hk）、电阻率（）和低的矫顽力（Hc）是改善磁性材料高频特性的至关重要的参数，但这些参量之间有时是矛盾的，所以要根据实际需要综合分析。 本文将分别从单层膜到多层膜的转变、退火效应、薄膜微结构等几个方面论述磁性薄膜高频特性的改良。 2 单层膜到多层膜的转变促进高频特性的改善 厚的单层磁性膜不适用于高频材料。因为厚的磁性层内部会形成一个退磁场，从而产生许多磁畴。畴壁的运动会钉扎磁化矢量，使磁导率降低，导致高频特性的恶化。用非磁性层把磁性层间隔开来，可以大大减少磁畴的数目，而且相邻磁性层之间可以通过非磁性层形成静磁耦合作用，使磁畴成为一个单畴，高频磁导率能大幅度提高。 相对磁导率和频率（f）的依赖关系可以由下式来描述[1]： （1） （2） 其中，，式中tm为磁性层厚度，f为频率，为真空磁导率，为趋肤深度。随着的增加，大约在0.1~0.2，由于涡流损耗的作用减小，增大。相应地磁性层厚度在0~0.15时，薄膜表现出低损耗。但是，多层膜的高频特性是由铁磁共振频率、介质击穿、层间耦合及涡流损耗等因素决定的。为了讨论这些效应之间的关系，多层膜的静态相对磁导率[]可以由下式表示出来[2]： （3）