ch02MOS器件物理基础答题.ppt

MOSFET的沟道调制效应 L L’ * MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 VGS-VT=0.15V, W=100μ ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 Ｌ=2μ Ｌ=6μ Ｌ=4μ * MOS管跨导gm不同表示法比较 跨导gm 1 2 3 上式中: * 亚阈值导电特性 (ζ1,是一个非理想因子) * MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 VgS logID 仿真条件： VT＝0.6Ｖ W/L＝100μ/2μ MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计。 * MOS器件模型 * MOS器件版图 * MOS电容器的结构 * MOS器件电容 * C1:栅极和沟道之间的氧化层电容 C2:衬底和沟道之间的耗尽层电容 C3,C4栅极和有源区交叠电容 * C5,C6有源区和衬底之间的结电容 * 栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系 1) VGS VTH截止区 * 2) VGS VTH VDS VGS – VTH深三极管区 * 3) VGS VTH VDS VGS – VTH饱和区 * 栅源、栅漏电容随VGS的变化曲线 * NMOS器件的电容--电压特性 积累区 强反型 * 减小MOS器件电容的版图结构 对于图a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 对于图b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw