第5章_半导体存储器_2014.ppt

微机原理及应用北京科技大学计算机与通信工程学院;第5章 半导体存储器;第5章 半导体存储器;概述;存储器分类;存储器分类;存储器的主要性能指标;存储器容量计算举例;存储器的主要性能指标;主存储器的基本结构;主存储器的基本结构;主存储器芯片的主要引脚;静态RAM;SRAM基本存储电路; 常用 SRAM 芯片型号;6116芯片;6116 芯片结构框图及引脚图;;SRAM上的引脚信号;3. 6116的工作过程;3. 6116的工作过程;6116工作方式真值表;动态RAM;动态RAM;为了降低芯片的功耗，保证足够的集成度，减少芯片对外封装引脚数目和便于刷新控制，DRAM芯片都设计成位结构形式，即每个存储单元只有一位数据位。 一个芯片上含有若干个存储单元，如4K×1位，8K×1位，16K×1位， 64K×1位或256K×1位等;DRAM典型芯片介绍;DRAM典型芯片介绍;2164芯片的引脚;2164 DRAM内部结构;2164 DRAM 内部结构框图;内存条; 只读存储器ROM; 不同类型的ROM简介;4? 4位掩模ROM矩阵及存储内容;字线与位线;2.可编程PROM;2.可编程PROM;3.光可擦除可编程的EPROM ;EPROM芯片的典型基本存储电路;EPROM芯片的典型基本存储电路;EPROM芯片的典型外观示意图;典型EPROM芯片;Intel 2732A ;2732A的工作方式 ; EPROM编程条件;主存储器的设计;存储器系统设计;存储器系统设计 ;芯片选择涉及的问题;存储芯片与CPU的连接;CPU的总线负载能力;CPU时序与存储芯片的速度;主存储器设计;主存储器设计;主存储器设计;存储器构成示意例;地址分配问题;存储器的片选问题;芯片外部译码的意义;线选直接译码;线选译码举例;线选译码;计算地址空间范围的方法;线选译码举例;线选译码例;地址重叠的意义;与非门译码器;3-8译码器简介;译码器真值表;译码器译码输出;全地址译码;全地址译码举例;全地址译码举例;部分地址译码;部分地址译码举例（5-8）;部分地址译码举例（5-8）;部分地址译码举例;部分地址译码例;部分地址译码举例;存储器的扩充;位扩充;位扩充图示;字扩充;字扩充图示;芯片与CPU总线的连接;;存储体系;采用多级存储器结构的主要原因;主存储选用动态随机存储器DRAM;计算机的一般存储体系;作业