ch17离子植入解说.pptVIP

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2016-07-21 发布于湖北
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ch17离子植入解说.ppt

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;目的;半導體製程中慣用的摻質 ;具各種摻雜區之CMOS結構圖;晶圓製作中慣用之摻質製程 ;在晶圓製作流程中之離子植入 ;矽晶圓之摻雜區 ;擴散 ;摻質在矽中之擴散 ;1,100℃時矽中的固體溶解度極限 ;擴散製程;典型的擴散摻質源 ;離子植入 ;摻質濃度及深度之控制 ;一般離子植入機之示意圖;離子植入機 ;離子植入之優點(參考表 17.5);植入機的種類 ;摻質離子之範圍及投射範圍 ;投射範圍與植入能量之關係圖 ;植入後摻質原子之能量損失 ;由於輕與重離子所造成的晶體破壞 ;離子植入機;離子源與萃取總成之外貌圖 ;Bernas離子源總成之示意圖 ;離子源與萃取總成間之相互作用 ;分析用磁鐵 ;離子植入機分析儀磁鐵 ;加速柱狀體 ;劑量對能量圖 ;用於高能量植入機之線性加速器 ;空間電荷的中性化 ;中性束捕捉 ;晶圓之靜電式離子束掃描 ;植入之遮蔽效應 ;植入晶圓之機械式掃描 ;用於晶圓充電控制??電子簇射器 ;電漿溢滿對晶圓充電之控制 ;離子植入器之終端站 ;用於植入製程反應室之晶圓搬運裝置 ;離子束電流測量用之法拉第杯 ;矽晶體之回火 ;沿 100 軸方向所看到的矽晶格 ;離子進入的角度及通道 ;來自微粒污染所造成的植入破壞 ;離子植入在積體化製程之趨勢 ;埋入之植入層 ;退化型井 ;衝穿停止層 ;用於臨界電壓調整之植入 ;源／汲極區形成 ;溝渠式電容器的垂直側壁之摻質植入 ;超淺接面 ;具與不具SIMOX埋入氧化層之CMOS電晶體