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材料的点缺陷对材料电学性能的影响 在生活中随处可见的是各种不同的材料，像我们生活上的各种生活用品：衣服、器具、门窗桌凳……由此可见我们的衣食住行都离不开这些材料。当然了，这些材料是否都是完美无瑕呢？是否会有一些缺陷呢？是否材料也存在“缺陷美”呢？ 在理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性，这就是晶体的缺陷。 而晶体的缺陷分为很多类，根据晶体缺陷的几何形态特征，可将它们分为以下三类： 点缺陷 特征是在三维方向上的尺寸都很小，约一个或几个原子间距，亦称为零维缺陷。例如空位、填隙原子、杂质原子等。 线缺陷 特征是在两维方向上的尺寸很小，仅在另一维方向上的尺寸较大，亦称为一维缺陷。例如位错。 面缺陷 特征是在两维方向上的尺寸较大，只在另一维方向上的尺寸很小，亦称为二维缺陷。例如晶体表面、晶界、相界和堆垛层错等。 材料的电学性能是指在外加电场作用下材料所表现出来的介电性能、导电性能、电击穿性质以及与其他材料接触、摩擦时所引起的表面静电性质等。电学性能是材料最基本的属性之一，这是因为构成材料的原子和分子都是由电子的相互作用形成的，电子相互作用是材料各种性能的根源。电子的微观相互作用同时是产生材料宏观性能，包括电学性能的微观基础。在电场作用下产生的电流、极化现象、静电现象、光发射和光吸收现象都与其材料内部的电子运动相关。而材料的缺陷主要是点缺陷可以引起晶体电导性能的变化。 晶体的电导性能材料的导电性能主要取决于两个参数：单位体积试样中载流子浓度和载流子迁移率。例如高聚物这种材料的导电性能分析： 高聚物存在两种导电机理：电子电导（电子、空穴）和离子电导（正、负离子）。一般高聚物主要是离子电导。有强极性原子或基团的高聚物在电场下产生本征解离，可产生导电离子。???非极性高聚物本应不导电，它的理论计算的比体积电阻1025Ω?cm，但实际上要小好几个数量级，原因是杂质带来的。这些杂质是少量没有反应的单体，残留的催化剂、助剂以及水份，都能在电场下离解而成为导电的主要载流子。 对聚合物加一直流电源时，发现通过的电流为表面电流和体积电流之和。I=Is＋Iv相应地电阻也可以分为体积电阻Rv和表面电阻Rs。 材料导电性通常用电阻率ρ或电导率σ表示其中： （一） 式中R为试样的电阻，S为试样截面积，d为试样长度（或厚度，为电流流动方向的长度）。 设单位体积试样中载流子数目为n0，载流子电荷量为q0，载流子迁移率（单位电场强度下载流子的迁移速度）为ν，则材料电导率σ等于： （二） 在实际应用中，人们将试样的电阻区分为体积电阻和表面电阻。将聚合物电介质置于两平行电极板之间，施加电压V，测得流过电介质内部的电流称体积电流 ，则体积电阻等于： （三） 若在试样的同一表面上放置两个电极，施加电压V，测得流过电介质表面的电流称表面电流，则表面电阻定义为： （四） 根据电极形状不同，表面电流的流动方式不同，表面电阻率的定义也有差别（图4-79）。对于平行电极， ，L、b分别是平行电极的长度和间距。对于环型电极，设外环 电极内径和内环电极外径分别为D2、D1，。注意表面电阻率 与表面电阻同量纲。体积电阻率 的定义见（一）式。 体积电阻率是材料重要的电学性质之一，通常按照 的大小，将材料分为导体、半导体和绝缘体三类：= =0～103Ω?cm，导体；103～10 8Ω?cm，半导体；108～1018（或1018Ω?cm，绝缘体。表面电阻率与聚合物材料抗静电性能有关。 金属的电阻来源于离子对传导电子的散射。在完整晶体中，电子基本上是在均匀电场中运动，而在有缺陷的晶体中，在缺陷区点阵的周期性被破坏，电场急剧变化，因而对电子产生强烈散射，导致晶体的电阻率增大。点缺陷破坏了原子的规则排列，使传导电子受到散射，产生附加电阻。附加电阻的大小与点缺陷浓度成正比，因而可用来标志点缺陷浓度。从附加电阻和温度的关系可以确定空位的形成能。其测量方法：一种是直接在高温测量电阻对温度的曲线，曲线上的异常部分就是由于空位的影响造成的；另一种方法是将样品淬火，使金属快速冷却，过饱和的空位就被冻结，这时就可以在室温下对不同淬火温度后的样品进行电阻的测