电力电子器件第一讲概述.ppt

第1章、电力电子器件 ;1.1 电力电子器件的基本模型; 在对电能的变换和控制过程中，电力电子器件可以抽象成下图1.1.1所示的理想开关模型，它有三个电极，其中A和B代表开关的两个主电极，K是控制开关通断的控制极。它只工作在“通态”和“断态”两种情况，在通态时其电阻为零，断态时其电阻无穷大。;二、基本特性：;1.1.2 电力电子器件的种类 ;二、电力电子器件按控制信号的性质不同又可分为两种： ;附表1.1.1:主要电力半导体器件 的特性及其应用领域;1.2 电力二极管 ;1.2.1 电力二极管及其工作原理;二、PN结与电力二极管工作原理：;二、 PN结与电力二极管工作原理(续); 二、 PN结与电力二极管工作原理(续);势垒电容只在外加电压变化时才起作用。外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比。 扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主；正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分。 结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应用时应加以注意。;1.2 电力二极管;1.2.2 电力二极管的特性与参数;1、电力二极管的伏安特性;1、电力二极管的伏安特性;2.2.2 电力二极管的特性与参数;2、电力二极管的开关特性; 当原来处于正向导通的电力二极管外加电压在tf时刻突然从正向变为反向时，正向电流If开始下降，到t0时刻电力二极管电流基本降为零，此时PN结两侧存在大量的少子，器件并没有恢复反向阻断能力，直到t1时刻PN结内存储的少子减少到零时，反向电流达到最大值IRP。t1后电力二极管开始恢复反向阻断，反向恢复电流迅速减小。 外电路中电感产生的高感应电动势使器件承受很高的反向电压URP。当电流降到基本为零的时刻t2时，电力二极管两端的反向电压才降到外加电压UR,电力二极管完全恢复反向阻断能力。 注：这些少子在外加反向电压的作用下被抽取出电力二极管，因而形成较大的反向电流。当空间电荷区附近的存储少子即将被抽尽时，管压降变为负极性，于是开始抽取离空间电荷区较远的浓??低的少子。因而在管压降极性改变后不久的t1时刻反向电流IRP开始下降，电力二极管开始重新恢复对反向电压的阻断能力。 ; （2）开通特性：正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。 电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大。 正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，UFP越高 。;（2）开关特性（续）;（1）普通二极管：普通二极管又称整流管（Rectifier Diode），多用于开关频率在１KHZ以下的整流电路中，其反向恢复时间在５μs以上，额定电流达数千安，额定电压达数千伏以上。 （2）快恢复二极管：反向恢复时间在５μs以下的称为快恢复二极管（Fast Recovery Diode简称FDR）。快恢复二极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复二极管。前者反向恢复时间为数百纳秒以上，后者则在100ns以下，其容量可达1200V/200A的水平, 多用于高频整流和逆变电路中。 （3）肖特基二极管：肖特基二极管是一种金属同半导体相接触形成整流特性的单极型器件，其导通压降的典型值为0.4～0.6V，而且它的反向恢复时间短，为几十纳秒。但反向耐压在200Ｖ以??。它常被用于高频低压开关电路或高频低压整流电路中。;1.2.2 电力二极管的特性与参数;3、电力二极管的主要参数 ;（1）额定正向平均电流IF(AV)（续）; 指器件中ＰＮ结不至于损坏的前提下所能承受的最高平均温度。ＴjM通常在125～175℃范围内。