固体磁性第六章概念.ppt

第六章技术磁化基本原理1、三种磁化过程退磁态,在外加磁场下,磁化强度改变为Vi,畴壁位移DWD,cosi,磁畴转动DR,MS,内禀磁化,饱和磁化强度的增加,6-1 磁化过程,磁化曲线及磁滞回线2、可逆及不可逆磁化初始磁化曲线磁滞回线*可逆过程,RP较小的磁场变化也会产生较大的非连续的变化,Barkhausen跳跃.磁场有变化时有滞后效应,主要在磁化曲线及磁滞回线的陡峻部分.随着外场H的变化,M连续变化.对非常小的场变化H,M也变化很小并且是可逆的.主要在磁化曲线的初始部分及膝点以上部分.*不可逆过程,IRP,导致回线.χΔ:微增磁化率;r:可逆;i:初始;ir:不可逆.3、磁化曲线及磁滞回线的基本特点（1）曲线a、初始部分.主要为RDWD和RDR.b、陡峻部分.IRDWD(多畴)为主;IRDR(单畴).c、膝点以上.主要为RDR.d、高场,趋近饱和律.顺行磁化过程（2）磁滞回线a、小回线和最大回线b.回线中不同部分的三种磁化过程.6-2可逆及不可逆磁化过程1、可逆及不可逆DWD（1）平衡条件和RDWDH=0时，畴壁按总自由能最低分布.时,畴壁位移到总自由能最小的平衡位置.a、等效外压力一畴壁在外场H下处于平衡状态下的畴壁元面积,设有一从j到k的虚位移,导致在体积元中的磁化方向变化及外场作用能变化对180°畴壁,令正的Pe方向为从j指向k.b、DWD的内部阻滞力DWD导致在内Ms从一个易轴方向k转到另一个易轴方向j.对无缺陷的理想单晶体,;在实际晶体中,由于缺陷导致波动,使得.为畴壁位置的函数.c、畴壁平衡方程为减小磁场作用能UH,是畴壁位移发生的驱动力随H变化,畴壁的平衡位置发生变化,导致RDWD及磁化变化.d、可逆磁化率r(RDWD)当H增加,畴壁移动,为各向异性,与畴壁面积S成正比,与成反比,依赖于能量Ei的起伏e.RDWD的特点畴壁为连续的较小的移动.当外场变化很小时,磁化强度变化可以趋近无穷小（2）不可逆DWDPi在材料中有起伏.当畴壁移动到b时,畴壁处于不稳定平衡,任何Pe或Pi的瞬时涨落,可能导致畴壁发生一巨大的非连续性的跳跃过程,直到在a‘和c之间的新的平衡位置.磁场H降低时,畴壁不会沿原路线跳回,而是沿斜线变化,直到加反向场才有可能发生反向跳跃.对180ºDWDDWD是连续的RDWD和不连续的IRDWD相间进行的.IRDWD的特点:非连续性,大的跳跃即使在无穷小附近为磁化曲线最陡的部分.发生IRDWD的临界场为Barkhausen跳跃2、可逆及不可逆磁畴转动（1）外场H的扭矩导致畴中磁化转动总自由能最低,和定义为在极坐标中的角度.（2）以铁形晶体为例.H//(忽略E)依据A至E为能量极小.RDR.E至F为能量极大.在HC,a、RDR如果Ms原来沿[110]方向,当H减小至0时当H增加时,M增加并沿DCBA变化,到B点饱和BA为水平线.L至F为能量极小.RDR.当b、IRDRand当H从减小时,M从A到E可逆地减小.同样地,当H从增加时,M从L到F可逆地变化,在这些过程中均为能量极小.而在从E到F一段,为能量极大原理如图所示.在E和F,,开始在HC处出现不可逆转动.3、初始磁化率DR过程对具有高的软磁材料对高频铁氧体,4、高场磁化曲线,趋近饱和律高场磁化曲线包含RDWD和RDR的末尾过程,以及顺行磁化部分.（1）   趋近饱和律.比较的理论计算结果与实验结果,可以判断的机理.a.极高场，可外推至获得.可由实验测定.b.较高场c.中等高场Ms和a2可由实验测定d.利用计算机对高场磁化曲线拟合,可确定a1,a2,p和MS.(2)的来源.DR过程的最后阶段.当很小时,~当H沿一般方向时仅当时趋近于0对立方晶体的无织构多晶材料如果,Ki可由得到.此外,的确定也可以用于研究内应力在多晶体中可通过曲线观察到.(3)奇点检测当H沿晶体对称轴时,.存在有限的饱和场.样品磁化曲线在处出现奇点.饱和场或各向异性场可由此精确测定对单轴晶体的RE-TM合金.(4)项.DWD的最后部分.来源于缺陷:内应力,位错,杂质等,这些因素使得饱和磁化难于达到.(5),铁磁态中的顺磁磁化率.自旋波理论:对巡游铁磁模型.When,.局域模型.6-3反磁化过程1.反磁化的两种过程和矫顽力的三种机理两种过程DR:RDR和IRDR.DWD:反向畴成核,RDWD和IRDWD.(2)磁化反转及矫顽力的三个关键机制H0RofIDR,HC=H0R,对单畴材料.Hn,反向畴成核场.H0W:IRDWD的临界场.IfHnH0,HC=Hn.IfH0Hn,HC=H0.2.单畴颗粒的DR及其HCEK为各种各向异性能对单轴各向异性:磁晶各向异性能,磁弹性能以及形状各向异性能等.(1)均匀转动对单轴各向异性(磁晶各向异性能or/and磁弹性能or/and