《高频电子线路教学课件》第3章1.pptVIP

第3章 噪声与干扰 ; 3.3.2 信噪比与负载的关系 3.3.3 用额定功率和额定功率增益表示的噪声系数 3.3.4 多级放大器噪声系数的计算 3.3.5 等效噪声温度 3.3.6 晶体放大器的噪声系数 3.3.7 噪声系数与灵敏度 3.3.8 噪声系数的测量 3.4 降低噪声系数的措施 3.5 工业干扰与天电干扰;3.1 概 述 ;3.2 噪声的来源和特点; 通常用噪声电压均方值来衡量起伏噪声的强度。电压平方可以看作是这个电压在1W电阻上消耗的功率，而单位频带内的功率叫做功率谱密度W(f)。电阻R上产生的热噪声功率谱密度为 W(f) =4kTR (V2/Hz) 其中k=1.38×10-23J·K-1，为玻耳兹曼常数，T为热力学温度。 尽管热噪声的频谱很宽且均匀分布，但在放大器中，只有位于放大器通频带内的那一部分噪声功率才能通过或得到放大。假设放大器的等效噪声带宽为Bn，则电阻热噪声电压的均方值为;;3.2.2 电阻串并联的热噪声等效; 3.2.2 二极管的噪声;3.2.3 晶体三极管的噪声; 因为散弹噪声和电阻热噪声都是白噪声，前面关于热噪 声通过线性系统的分析对散弹噪声也完全适用。 这包括均 方相加的原则，通过四端网络的计算以及等效噪声带宽等。 晶体管中有发射结和集电结，因为发射结工作于正偏， 结电流大。 而集电结工作于反偏，除了基极来的传输电流 外，只有反向饱和电流（它也产生散弹噪声）。 因此发射 结的散弹噪声起主要作用，而集电结的噪声可以忽略。 ; 晶体管中通过发射结的少数载流子，大部分由集电极收集，形成集电极电流，少数部分载流子被基极流入的多数载流子复合，产生基极电流。 由于基极中载流子的复合也具有随机性，即单位时间内复合的载流子数目是起伏变化的。 晶体管的电流放大系数a、b只是反映平均意义上的分配比。 这种因分配比起伏变化而产生的集电极电流、基极电流起伏噪声，称为晶体管的分配噪声。 分配噪声本质上也是白噪声，但由于渡越时间的影响，当三极管的工作频率高到一定值后，这类噪声的功率谱密度将随频率的增加而迅速增大。 ;3. 闪烁噪声 由于半导体材料及制造工艺水平造成表面清洁处理不好 而引起的噪声称为闪烁噪声。 它与半导体表面少数载流子 的复合有关，表现为发射极电流的起伏，其电流噪声谱密度 与频率近似成反比，又称1/f噪声。 因此，它主要在低频 （如几千赫兹以下）范围起主要作用。 这种噪声也存在于 其他电子器件中，某些实际电阻器就有这种噪声。 晶体管 在高频应用时，除非考虑它的调幅、调相作用，这种噪声的 影响也可以忽略。 ;3.2.4 场效应管噪声 在场效应管中，由于其工作原理不是靠少数载流子的运 动，因而散弹噪声的影响很小。 场效应管的噪声有以下几个方面的来源： 沟道电阻产生的热噪声，沟道热噪声通过沟道和栅极电容的耦合作用在栅极上的感应噪声，闪烁噪声。 必须指出，前面讨论的晶体管中的噪声，在实际放大器 中将同时起作用并参与放大。 有关晶体管的噪声模型和晶体管放大器的噪声比较复杂，这里就不讨论了。 ;3.2.5 接收天线噪声 接收天线端口呈现噪声有两个来源： 第一是欧姆电阻产 生的噪声（通常可以忽略）；第二是接收外来噪声能量，其 一是接收周围介质辐射的噪声能量，其二是宇宙辐射干扰也 会被天线接收。 ; 研究噪声的目的在于如何减少它对信号的影响。 因此，离开信号谈噪声是无意义的。 从噪声对信号影响的效果看，不在于噪声电平绝对值的大小，而在于信号功率与噪声功率的相对值，即信噪比，记为S／N（信号功率与噪声功率比）。 即便噪声电平绝对值很高，但只要信噪比达到一定要求，噪声影响就可以忽略。 否则即便噪声绝对电平低，由于信号电平更低，即信噪比低于1，则信号仍然会淹没在噪声中而无法辨别。 因此信噪比是描述信号抗噪声质量的一个物理量。 ;3.3.1 噪声系数的定义;3.3.2 信噪比与负载的关系;3.3.3 用额定功率和额定功率增益表示的噪声系数;3.3.4 多级放大器噪声系数的计算;3.3.5 等效噪声温度;3.3.6 晶体管放大器的噪声系数 ; 噪声系数是用来衡量部件(如放大器)和系统(如接收机)噪声性能的。 而噪声性能的好坏，又决定了输出端的信号噪声功率比(当信号一定时)。 同时，当要求一定的输出信噪比时，它又决定了输入端必需的信号功率，也就是说决定放大或接收微弱信号的能力。 对于接收机来说，接收微弱信号的能力，可以用一重要指标——灵敏度