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集成电路工艺原理;一、衬底材料的类型 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… ;二、对衬底材料的要求 ;Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术；;Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）； 本征电阻率低：47 ?·cm（Si: 2.3x105 ?·cm）； 成本高。;Si 的基本特性: FCC 金刚石结构，晶格常数a=5.431 ? 间接带隙半导体， 禁带宽度 Eg=1.12eV 相对介电常数， ?r=11.9 熔点： 1417oC 原子密度： 5x1022 cm-3 本征载流子浓度：ni=1.45x1010 cm-3 本征电阻率 ?=2.3x105 ?·cm 电子迁移率 ?e=1500 cm2/Vs, 空穴迁移率?h=450 cm2/Vs ;三、起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） ;单晶制备;拉晶过程;收颈 指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部 分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位 错的延伸。颈一般要长于20mm。 ;放肩 缩颈工艺完成后，略降低温度（15-40℃） ，让晶体逐渐长大到 所需的直径为止。这称为“放肩”。; 等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速。; 收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。 ;硅片掺杂;掺杂分布;16;有效分凝系数;当??/D1，ke ?1， 所以为了得到均匀的掺杂分布， 可以通过较高的拉晶速率和较低的旋转速率。;直拉法生长单晶的特点; 二、改进直拉生长法—磁控直拉技术 ;三、悬浮区熔法（float-zone，FZ法）;悬浮区熔法（float-zone，FZ法）;掺杂分布;区熔提纯;多次区熔提纯;衬底制备;整型;晶面定向与晶面标识;8 inch 以下硅片;切片、磨片、抛光 1．切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求的单晶薄片。切片基本决定了晶片的晶向、厚度、平行度、翘度，切片损耗占1/3。 2.磨片 目的： ? 去除刀痕与凹凸不平； ???改善平整度； 使硅片厚度一致； 磨料： ??? 要求：其硬度大于硅片硬度。 种类：Al2O3、SiC、ZrO、SiO2、MgO等 ;3.抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无 损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光;晶体缺陷;点缺陷;线缺陷;螺位错:将规则排列的晶面剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，然后黏合起来，形成一个类似于楼梯 拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错 ;面缺陷;堆垛层错是指是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某一层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错误排布 。 ;体缺陷;本节课主要内容