8存储系统概论.ppt

第6章 主 存 储 器;6.1 概 述;6.1.2 半导体存储器的分类 早期的内存使用磁芯，随着大规模集成电路的发展，半导体存储器集成度大大提高，成本迅速降低，存取速度大大加快，所以在微型计算机中，内存一般都使用半导体存储器。从制造工艺的角度来分，半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等；从应用角度来分，可分为随机读写存储器(Random Access Memory，又称为随机存取存储器，简称RAM)和只读存储器(Read Only Memory，简称ROM)，如图6.1所示。;图6.l 半导体存储器的分类; 1) 掩膜ROM 掩膜ROM是利用掩膜工艺制造的存储器，程序和数据在制造器件过程中已经写入，一旦做好，不能更改。因此，只适合于存储成熟的固定程序和数据，大量生产时，成本很低。例如，键盘的控制芯片。; 2) 可编程ROM 可编程ROM简称PROM(Programable ROM)。PROM由厂家生产出的“空白”存储器，根据用户需要，利用特殊方法写入程序和数据，即对存储器进行编程。但只能写入一次，写入后信息是固定的，不能更改。它PROM类似于掩膜ROM，适合于批量使用。; 3) 可擦除PROM 可擦除PROM简称EPROM(Erasable Programable ROM)。这种存储器可由用户按规定的方法多次编程，如编程之后想修改，可用紫外线灯制作的擦除器照射7～30分钟左右(新的芯片擦除时间短，多次擦除过的芯片擦除时间长)，使存储器复原，用户可再编程。这对于专门用途的研制和开发特别有利，因此应用十分广泛。; 4) 电可擦PROM 电擦除的PROM简称EEPROM或E2PROM(Electrically Erasable PROM)。这种存储器能以字节为单位擦除和改写，而且不需把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统即可进行。随着技术的进步，EEPROM的擦写速度将不断加快，将可作为不易失的RAM使用。; 2. 随机读写存储器(RAM) 这种存储器在使用过程中既可利用程序随时写入信息，又可随时读出信息。它分为双极型和MOS型两种，前者读写速度高，但功耗大，集成度低，故在微型机中几乎都用后者。RAM可分为三类。 1) 静态RAM 静态RAM即SRAM(Static RAM)，其存储电路以双稳态触发器为基础，状态稳定，只要不掉电，信息不会丢失。优点是不需刷新，缺点是集成度低。它适用于不需要大存储容量的微型计算机(例如，单板机和单片机)中。; 2) 动态RAM 动态RAM即DRAM(Dynamic RAM)，其存储单元以电容为基础，电路简单，集成度高。但也存在问题，即电容中电荷由于漏电会逐渐丢失，因此DRAM需定时刷新。它适用于大存储容量的计算机。 ; 3) 非易失RAM 非易失RAM或称掉电自保护RAM，即NVRAM(Non Volative RAM)，这种RAM是由SRAM和EEPROM共同构成的存储器，正常运行时和SRAM一样，而在掉电或电源有故障的瞬间，它把SRAM的信息保存在EEPROM中，从而使信息不会丢失。NVRAM多用于存储非常重要的信息和掉电保护。 其他新型存储器还有很多，如快擦写ROM(即Flash ROM)以及Integrated RAM，它们已得到应用，详细内容请参阅存储器数据手册。;6.1.3 半导体存储器的主要技术指标 　　1. 容量 存储器芯片的容量是以存储1位二进制数(bit)为单位的，因此存储器的容量指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。例如，1024位/片指芯片内集成了1024位的存储器。由于在微机中，数据大都是以字节(Byte)为单位并行传送的，因此，对存储器的读写也是以字节为单位寻址的。; 然而，存储器芯片因为要适用于1位、4位、8位计算机的需要，或因工艺上的原因，其数据线也有1位、4位、8位之不同。例如，Intel 2116为1位，Intel 2114为4位，Intel 6264为8位，所以在标定存储器容量时，经常同时标出存储单元的数目和位数，因此有 存储器芯片容量=单元数×数据线位数 如Intel 2114芯片容量为1 K×4位/片，Intel 6264为8 K×8位/片。 虽然微型计算机的字长已经达到16位、32位甚至64位，但其内存仍以一个字节为一个单元，不过在这种微机中，一次可同时对2、4、8个单元进行访问。; 2. 存取速度