2模拟电路与数字电路(第2版)集：第2章半导体器件基础概论.pptVIP

第2章半导体器件基础;2.1 半导体的基本知识;2.1 半导体的基本知识;硅(锗)的原子结构;本征激发：;两种载流子;2.1.2 杂质半导体;;;扩散和漂移达到动态平衡;;;2.2.1 晶体二极管的结构、符号、类型;点接触型;2.2.2 晶体二极管的伏安特性;二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;2.电路模型;（2）简化模型（恒压模型）;2.2.3 晶体二极管的主要参数;*影响工作频率的原因 —;半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管;制造二极管时，通常不会用两块相同大小的P型半导体和N型半导体结合形成PN结，而是通常用其中一种半导体作基底，例如一块N型半导体，在其中一端渗透一点三价元素，得到很小一块P型半导体区域，这样的二极管就是N型二极管；或者用一块P型半导体，在其中渗透一点五价元素得到PN结，这样的二极管就是P型二极管总之，二极管用P型材料制作就是P型二极管，用N型材料制作就是N型二极管，上面的PN结是在作为基底的P型或N型半导体扩散上去的。举个例子，N型点接触二极管是这样做的：用一块N型半导体，正级使用一根铝线与半导体接触，这样就有少量的铝扩散到半导体里，形成PN结，得到一个二极管，整个二极管就是一块N型半导体加一个PN结，没有P型半导体（或者小到可以忽略）。;2.2.4 晶体二极管的温度特性;2.2.6 晶体二极管的应用;例：ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。;O;练习：已知 ui = 4 sin ?t (V)，二极管为理想二极管，画出uo的波形。 ;2. 钳位：利用二极管将信号“钳制”在不同的直流电位;2.2.6 稳压、发光、光电、变容二极管简介;主要参数;符号和特性;实物照片;3.光敏二极管;4.变容二极管;主要参数;2.3　半导体三极管;2.3.1 BJT的结构及类型;二、分类; 半导体器件型号与符号的意义（GB-249-74）;三、应用;2.3.2 晶体三极管的电流分配及放大作???;3. 晶体三极管的电流分配及放大作用;I CN;4. 三极管的电流分配关系;;2.3.3 晶体三极管的伏安特性与等效电路;O;2、输出特性;iC / mA;iC / mA;补充：判断三极管工作状态的三种方法。;3) 三极管电位判定法;例：测得量三极管三个电极对地电位如下图所示，试判断三极管的工作状态。;2.3.4 晶体三极管的主要参数;（2）极间反向饱和电流;2、三极管的主要极限参数;*2.3.4 温度对BJT特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;2.4　场效应管;引 言;特点：;N 沟道 JFET;1）UGS 对沟道的控制作用;2） UDS 对沟道的控制作用;uGS =0;结论: FFET栅极、沟道之间的PN结反向偏置的，iG几乎为零，输入电阻较高 JFET是电压控制电流器件，iD受UGS控制 预夹断前， iD与UDS呈近似线性关系；预夹断后； iD趋于饱和;VP;增强型N 沟道;O uDS /V;2. 场效应管的主要参数;UGS(th);（4）低频跨导 gm ;PDM = uDS iD，受温度限制。;一、两种半导体和两种载流子;iD;3. 二极管的等效模型;4. 二极管的分析方法;三、两种半导体放大器件;放 大 条 件;4. 特性;iC / mA;;场效应管;2. 特点;不同类型 FET 转移特性比较;四、晶体管电路的基本问题和分析方法