AT89s存储器结构概论.pptVIP

第三章 AT89S52存储器结构;重点;3.1存储器概述;;2、AT89S52的闪速存储器Flash;3.2 AT89S52单片机的存储器结构;3.2.1 程序存储器;;;;;3.2.2 数据存储器;;;;3.2.3 特殊功能寄存器SFR;;;;;3.3 外部存储器及其访问;3.3.1 外部程序存储器与访问;1. AT89S52单片机访问外部程序存储器所使用的控制信号 ALE：低8位地址锁存控制； PSEN：外部程序存储器“读取”控制。 EA：片内、片外程序存储器访问的控制信号。=1时，访问片内程序存储器；当=0时，访问片外程序存储器。 ;;;;;3.3.2 外部数据存储器与访问;;;;3.3.5 外部数据存储器写操作时序;3.4 片内FLASH存储器操作;3.4.1 签名字节及读出;AT89S52的签名字节共有3B字节，具体在存储器中的地址和含义如表3.4.2所示。;2. 签名字节的读出 签名字节内容被读出时的电路逻辑结构如图3.4.1所示。;3.4.2 程序存储器的加密;表 3.4.3 程序加密位的保护模式;2. 程序存储器加密的方法 对程序存储器加密需要根据所希望采取的加密保护模式对3位加密位LB1、LB2和LB3进行编程。编程按照LB1→LB2→LB3的顺序按位进行。注意，在对各位加密位进行编程时，其控制信号是不同的。图3.4.2为对加密位编程的逻辑电路图。;3.4.3 Flash存储器的并行编程;图 3.4.3 AT89S52Flash存储器并行编程的接口电路 ;2. 并行编程的算法： 从编程接口电路可以看出，AT89S52单片机编程时除地址线和数据线外还需要一些控制信号，表3.4.4为编程时这些控制信号的状态情况。AT89S52单片机内部Flash为8KB，地址范围0000H~1FFFFH，因此编程时需要13位的地址线。编程时，被编程存储单元的地址由P1口和P2口的P2.0~P2.4输入（13位地址），编程代码从P0口输入，P2.6、P2.7、P3.3、P3.6和P3.7引脚的电平依据表3.4.4设置。编程时RST引脚接高电平，引脚接低电平（接地），引脚接编程负脉冲，每次写入代码的脉冲宽度200~500ns， 是编程电压的输入引脚，按规定要求接12V编程电压，编程时的振荡频率为3~33MHz。 ;3.4.4 Flash存储器的串行编程;2. Flash存储器的串行编程算法 按照下列步骤对Flash实现串行编程： (1) 对RST、VCC和GND 引脚加电； 加电次序如下： 在VCC和GND引脚之间加电源电压； 将RST设置为高电平（若采用外部时钟信号，则必须延时10ms后方可）。 ⑵ 在P1.5/MOSI引脚输入编程允许指令； ⑶ 在P1.5/MOSI引脚输入写程序存储器指令； AT89S52的串行编程指令中包含了编程单元地址和代码数据，向P1.5/MOSI引脚输入写程序存储器指令时，便确定了可编程的字节地址和指令数据。写入周期采用内部自动定时的方式，在VCC＝5V时其典型值不大于1ms。 ;编程可按字节模式或页模式写入。在采用字节编程模式时，编程的地址单元和代码数据包含在指令的2,3,4字节中。 ⑷ 读指令。使用读指令，在P1.6/MISO引脚上读出芯片内Flash程序存储器任意存储单元中的内容，用于编程校验。 ⑸ 编程结束后将RST引脚置低电平，系统回复到正常操作状态。 如果需要，可按照下面的步骤实施断电： ⑴ 将XTAL1引脚置成低电平（若使用外部时钟）； ⑵ 将RST引脚置低电平 ⑶ 关断电源VCC。;