怎样从内存芯片上识DDR400-1G的内存条.docVIP

内存条芯片参数 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=MT；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 常见SDRAM 编号识别 维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： ▲ HY HYUNDAI ------- 现代 ▲ MT Micron ------- 美光 ▲ GM LG-Semicon ▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 ▲ HM Hitachi ------ 日立 ▲ MB Fujitsu ------ 富士通 ▲ TC Toshiba ------ 东芝 ▲ KM Samsung ------ 三星 ▲ KS KINGMAX ------ 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下: ★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. ★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. (3) 编 号 形 式 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V. CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. dd表示带宽。 f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g表示版本号，B—第三代。 h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 10—100MHZ(非PC100)。 例：1） HY57V651620B TC-75 按照解释该内存条应为：SDRA