电子陶瓷1说课.ppt

电子陶瓷材料;本课程所涉及的内容;绪论;绪论;绪论;Name;绪论;几个有用的名词： 特种陶瓷 special ceramics 先进陶瓷 advanced ceramics 精细陶瓷 fine ceramics 高性能陶瓷 high performance ceramics 新型陶瓷 new ceramics 近代陶瓷 modern ceramics;绪论;绪论;绪论;种 类 ;;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;第一章 电子陶瓷结构基础;§1-1 原子间的结合力 §1-2 球的密堆积原理及配位数 §1-3 鲍林规则 §1-4 电子陶瓷的典型结构 §1-5 电子陶瓷的显微结构 §1-6 电子陶瓷的晶体结构缺陷 §1-7 电子陶瓷的固溶结构 ;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用???础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;第6章 Internet应用基础;2、面心立方密堆积（ Face Center Cubic, fcc）;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;第6章 Internet应用基础;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数; 金属氧化物中，氧的电负性χo=3.5，金属的电负性χM=0.7~0.8，因此离子键成份很大。 氧离子半径1.4?，一般金属离子半径0.7?左右，远比O2-离子小，因此在形成晶体时，为使自由能最低，往往由半径较大的O2-离子作紧密堆积，金属离子堆充在氧密堆积形成的空隙中。 下面讨论氧离子形成的各种空隙及这些空隙所能填充的正离子的大小。;1、三球（氧离子）形成的空隙： 设氧离子半径为r0,所填充的正离子半径r+;2、四球形成的空隙：;3、六球形成的空隙：;4、八球形成的空隙：;5、十二球形成的空隙：;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§1-2-3 离子晶体的配位多面体;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;§ 1-2 球的密堆积原理及配位数;有些正离子与氧离子的半径比在临界半径附近，因而可以认为具有两种配位数。 例如：rAl3+/rO＝53/140＝0.378，配位数可为6或4，形成[AlO6]八面体或[AlO4]四面体。配位数相同的离子容易互相取代，因而可通过掺杂来改变材料的性能。如[AlO6]八面体中Al3+用Mg2+取代后，rMg2+/rO＝72/140＝0.514,可形成[MgO6]八面体。 ;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则; ;半径比与配位的关系 ;§ 1-3 鲍林规则;§ 1-3 鲍林规则; ;; ;;例： BaTiO3基本结构为顶点相连的三维八面体簇，计算氧离子的电价。 ① Ti4+分配给氧离子的静电键强度Z1-=2×(4/6)=4/3 ② Ba2+分配给氧离子的静电键强度Z2-=4×(2/12)=2/3 ③ 故氧离子的价数为Z1-+Z2-=4/3+2