光电检测技术基础资料.pptVIP

光电检测技术;人类通过自身的感觉器官从外界获取信息;再次认识人眼;材料的检测与控制技术;五官与传感器;狭义：“光电子材料”替代“人眼”; ???????????????????;第一章 光电检测技术基础;1.1 辐射度量和光度量 ;可见光：红、橙、黄、绿、青、蓝、紫;光的基本特性 光谱范围：1pm~1mm，波长短 可见光波长：380nm~780nm 真空中光速: 光在媒质中传播速度: v=λν/n 光子能量：E= hν 光子动量：p = hν/c = h/λ 普朗克常数:;二、光辐射度量;名称;四、光度量：可见光;名称;1.辐射度学;1. 辐射功率（辐射通量）;点光源: 在某一方向上，在单位立体角内发出的辐射通量（描述辐射体在不同方向上的辐射特性）。;3、辐射亮度;4、辐射出射度;光度学基本物理量;定义: 视见函数;;（二）光度学量;---- 点光源在某一方向上，单位立体角 内发出的辐射通量。;----面元dS在θ方向dΩ体积角内的的光通量dΦv 除立体角的大小dΩ 和此面元在观测方向上的表观面积cosθ(dS)。;4、光出射度;---- 受照面上单位时间单位表面积接受的光量，或单位表面积接受的光通量。;其它基本概念;2. 扩展源---有一定面积的辐射源;根据辐射出射度的定义;3. 漫反射面;4. 定向辐射体;1.2 半导体物理基础;二、能带理论;２．晶体中电子的能带 晶体：原子（粒子）以一定的周期重复排列所构成的物体 晶体中电子的共有化：原子之间距离很近，致使离原子核较远的电子轨道发生交叠，使电子不再属于某个原子，有可能转移到相邻原子及更远的原子壳层上去，成为整个晶体所共有 电子只能在能量相同的量子态之间转移 N个原子排列成晶体时，原来分属于N个原子的相同能级必须对应分裂成属于整个晶体的N个能量稍有差别的能级 能带：与此相对应的能量密集的能级称为能带。 ;二、能带理论;原子的能限和结晶格中的能带之比较;二、能带理论;3. 半导体的导电机制 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体称为本征半导体 本征激发：电子由价带直接激发跃迁到导带 本征半导体的载流子只能依靠本征激发产生 导带电子和价带空穴相等;3. 半导体的导电机构 杂质半导体： 半导体中人为地掺入少量杂质形成掺杂半导体，杂质对半导体导电性能影响很大（晶体的缺陷也有类似效果）。 杂质能级和晶体中其它能级不同，可处于晶体能带间的禁带中（对导电性影响巨大） N型半导体：主要由电子导电（此时电子又称为多子） 在四价原子硅（Si）晶体中掺入五价原子，例如磷（P）或砷（As），形成N型半导体，电子为多数载流子 通常，施主能级离导带底较近，导带中电子多于价带中空穴 P型半导体：主要由空穴导电（此时空穴被称为多子） 在四价原子硅（Si）晶体中掺入三价原子，例如硼（B），形成P型半导体，空穴为少数载流子 受主能级离价带顶较近，价带中空穴多于导带中电子;价带;价带;三、热平衡载流子;三、热平衡载流子;本征半导体中，电子和空穴浓度相等，即n=p, 本征载流子浓度为一恒定值 式中Eg=E_-E+为禁带宽度，说明热平衡时两种载流子浓度的乘积等于一个常数（杂质半导体中乘积满足相同常数）。 本征半导体费米能级（基本位于禁带中央） ;热平衡态下，半导体内部电子和空穴的产生率和复合率相等，系统保持相对平衡状态 半导体在外界条件有变化（如受光照、外电场作用、温度变化）时，载流子浓度要随之发生变化，此时系统的状态称为非热平衡态。 非热平衡时导带和价带中电子和空穴的浓度为 n=n0+ Δn p=p0+ Δp 保持外界条件不变，系统将逐渐达到新的平衡状态，载流子浓度增加。撤掉外界条件，系统又将恢复原来的平衡状态;四、非平衡载流子;四、非平衡载流子;陷阱效应 半导体内杂质上的电子数会因某种原因增加或减少,形成累积非平衡载流子的作用就叫陷阱作用 所有杂质均有一定的陷阱作用，但有显著陷阱作用的杂质能级称为陷阱 显著陷阱作用的条件 俘获电子和空穴的能力差别大（称作电子陷阱或空穴陷阱） 陷阱对少子作用更明显（宽禁带、低温），对于多数载流子，除非陷阱密度较大到可与多子相比拟时，陷阱效应才不能忽略 杂质能级的位置：如对于电子陷阱，杂质能级得在费米能级之上较深的位置（有空位，且热激发尽量弱），即能够尽量与费米能级重合,陷阱效应最显著（空穴陷阱类似也得尽可能与费米能级重合） 陷阱效应影响半导体的性质:寿命,灵敏度等（如少子陷阱，增加了多子的寿命，提高定态光电导灵敏度；多子陷阱，减少多子数目，减弱定态光电导灵敏度。）;五、载流子的运动：扩散和漂移;1.本征吸收(吸收系数105，发生在微米量级的表面层内，表面状态影响大) 光子作用使电子由价带跃迁到导带 入射光子能量大于禁带宽度时(hν≥Eg)才能发生本征