IEEE翻译：调查大功率IGBT关断对缓冲电容器的影响.docx

调查大功率IGBT关断缓冲电容的影响 R.T.Naayagi，英国，梅德韦ME44TB，格林威治大学，工程学院，工程系统部， HYPERLINK mailto:t.n.ramasamy@greenwich.ac.uk t.n.ramasamy@greenwich.ac.uk R. Shuttleworth 和 A.J. Forsyth，英国，曼彻斯特M139PL，曼彻斯特大学，电气与电子工程学院  HYPERLINK mailto:roger.shuttleworth@manchester.ac.uk roger.shuttleworth@manchester.ac.uk  HYPERLINK mailto:rew.forsyth@manchester.ac.uk rew.forsyth@manchester.ac.uk 摘要---一个20千瓦双向双主动桥直流-直流转换器原型的设计和建造是为航空航天能源存储应用。这种转换器在高电压侧和低电压侧均采用大功率IGBT模块。本文对关断大功率IGBT缓冲电容的性能进行了理论分析并得出实验结果。分析了1200 V,300A超快型IGBT和600 V,760A沟道型IGBT在有无缓器电容时的关闭性能。探讨了缓冲电容的变化和IGBT栅极电阻性能变化的影响。这给出了更好地理解IGBT在关断瞬间的特点。实验结果表明,缓冲电容关闭时电压应力降低和开关损失明显。相同的电容值时直接安装缓冲器优于线端缓冲器;因此它们适合高频率、高功率应用。 关键词：缓冲电容，关断损耗，直接安装缓冲器，栅极电阻，大功率IGBT 一、介绍 最近电力电子的趋势表明，高功率密度转换器的需求日益增加[1]。更高功率密度可以通过增加开关频率实现。然而,开关频率的增加会导致开关损失的增加，并限制转换器的性能及电力设备的能力。基于最新的功率半导体技术[2] - [3]，绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为功率晶体管在各种电力电子应用中已经获得了越来越多的认可[4]。IGBT结合了双极型传导机制和功率MOSFET管的优点，这为降低通态损耗和改进开关性能铺平了道路。对IGBT的可靠性试验研究[5]表明，他们是关键电力电子应用的一个潜在的候选人，如开关式电源应用。考虑IGBT的雪崩倍增效应引入关断开关的分析模型[6]；介绍了一种新的栅极驱动方法用于减小高功率IGBT的关断尖峰电压[7]。为了使用IGBT，至关重要的是要懂得关断缓冲电容如何影响IGBT的关断特性以及由此产生的关断损耗。通过使用关断缓冲电容，关断损耗显著降低并不明显。本文提出的理论分析和无缓冲电容的大功率IGBT模块的关断性能实验结果，采用一个20千瓦的双主动桥（DAB）的直流-直流转换器的原型。文献[8]中描述了的转换器原型的工作原则，稳态分析和设计。来自赛米控的IGBT模块已经被选定为候选设备进行测试。选择这些模块是基于比较各主要设备制造商,如赛米控、宝誉斯、富士、三菱、丹尼克斯和IXYS的IGBT为类似的评级[9]。本文的结构如下。理论分析估计有和没有缓冲电容器的IGBT关断损耗在第2节中介绍。第3节提供了1200 V,300A超速的IGBT的测试电路并讨论了缓冲电容的影响以及IGBT关断栅极电阻性能的影响。有无缓冲电容的IGBT关断瞬变的试验结果也列于第3节。600V，760A沟道型IGBT测试电路，实验结果和缓冲电容在这样的IGBT关断性能的影响在第4节给出。最后，第5节给出结论。 二、理论分析 本节介绍了有无缓冲电容器的IGBT关断能量损耗的理论估算。图1描绘的关断无缓冲电容器的理想IGBT的电压和电流波形。晶体管电压迅速上升至Vin具有无上升时间和其电流开始下降的假设。能量损失可估算如下， （1） 图1.无缓冲电容IGBT的电压和电流波形 这种IGBT的电流的表达式可以写成， （2） 把（2）代入（1）中得， 进一步简化， （3） 图2描述了有缓冲电容的IGBT在理想条件下的关断波形。由于在使用DAB转换器时的IGBT具有相位管脚模块，被使用的单独缓冲电容跨越每个IGBT中的每个相位管脚的顶部和底部。若无电容，IGBT上的电压将以高迅速上升至Vin。如果寄生电感的存在，可能导致一个设备过电压。缓冲器通过操作设备的关断电流来减少这种高。因此，在IGBT关断时，DAB转换器的寄生电感中电流以谐振的方式向缓冲电容两端充电并向其他在同一相的IGBT缓冲器放电，直到他们的各自的电压达到相反的轨道。因此，流过IGBT和缓冲