IC工艺_2-1.ppt

第二章 氧 化;氧化;主要内容;§2.1 SiO2的结构、性质及用途;*;SiO2的结构;*;SiO2中的共价键;SiO2的分类 ;结晶形SiO2;非晶SiO2;*;半导体中的SiO2 /1;半导体中的SiO2 /2;热氧化所得非晶二氧化硅薄膜;无定形SiO2的结构特点;SiO2的化学性质;SiO2的主要物理性质(1);SiO2的主要物理性质(2);SiO2的主要物理性质(3);SiO2的主要物理性质(4);*;*;氧化物的作用;SiO2在IC中的应用 /1;SiO2在IC中的应用 /2;SiO2的主要作用;掺杂阻挡层(1);因而在加热或冷却时，晶圆就不会产生弯曲。;器件保护/牺牲/缓冲层 /1;器件保护/隔离层 /2;表面钝化层;电学绝缘层;器件介质层;Application;氧化层厚度及主要用途;氧化硅的应用(1);氧化硅的应用(2);§2.2 SiO2的掩蔽作用;SiO2的分类;SiO2中的杂质类型;网络形成者;网络形成者对氧化层的影响;网络形成者的应用;网络改变者;网络改变者对氧化层结构的影响;可动性离子的产生;可动性离子的影响;水对氧化层网络结构的影响;SiO2对杂质的掩蔽特性;SiO2作掩蔽层的基本要求;§2.3 硅的热氧化生长动力学;SiO2的制备方法;热氧化法;热氧化法的优点;高温氧化工艺;干氧氧化;干氧氧化层厚度与时间和温度的关系;干氧氧化的特点;水汽氧化;水汽氧化生长机理 ;水汽氧化生长机理（cont.);水汽氧化层厚度与时间和温度的关系;;比 较;水汽氧化的特点;Thermal Oxidation;湿氧氧化;湿氧氧化的特点;*;掺氯氧化;掺氯的主要作用 1/2;掺氯的主要作用 2/2;不同方法制作的SiO2的性质对比（定性）;实际生产中的热氧化工艺;氧化过程中硅的消耗;氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%，即意味着每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。;*;二、热氧化生长动力学原理;硅的热氧化生长模式;热氧化的氧化层增厚过程;SiO2的生长动力学过程;硅的热氧化模型— Deal-Grove Model;*;氧化过程中的氧流量(密度);第一个过程：; 　考虑到这一事实：即某些气流仍会在穿过 大部分滞流层后保留下来，F1取线性近似：;第二个过程：; ;第三个过程：;即：; ;亨利定律 Henry’s Law;*;*;;氧化生长速率的物理意义;氧化物生长模型Deal-Grove Model;Deal-Grove Model;*;*;硅的热氧化的两种极限情况;氧化模型(D-G Model)的两种极限情况;硅的线性氧化(Linear Regimes);硅的抛物线氧化(Parabolic Regimes);*;*;氧化的两个阶段 /1;氧化的两个阶段 /2;*;*;氧化速率与时间的关系;§2.4 影响氧化速率的各种因素;氧化速率与氧化温度的关系;温度对氧化速率的影响;Temp Variation of Linear/Parabolic Coeff;氧化剂分压对氧化速率的影响;Pressure Effects on Oxidation;压力效应;高压氧化的应用;High Pressure Oxidation;高压氧化工艺;高压氧化的缺点;表面晶向对氧化速率的影响;Origin of Substrate Orientation Effect;Growth rate dependence on Si substrate orientation;杂质对氧化速率的影响 /1;杂质对氧化速率的影响 /2;*;*;*;其他杂质对氧化速率的影响;其他杂质对生长速率的影响;氯对氧化速率的影响;*;不均匀氧化