固体表面结构.pptVIP

Chapter 2 An Introduction to Solid State Chemistry 2.1 固体的电子结构和电性质 能带理论 1 自由电子模型 k空间 Schr?dinger 方程的解 Schr?dinger 方程的解 自由电子能量 k空间中自由电子能量 2 晶体中共有化运动的电子 准自由电子的微扰处理 能带的形成 布里渊 Brillouin 区 布里渊区特点 二维布里渊区 二维布里渊区 三维布里渊区 三维布里渊区 布里渊区中的能级数 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 Fermi（费米）能级 Fermi（费米）能级 Fermi（费米）能级 2. 晶体的一些电学性质 导体和非导体 半导体和绝缘体 2 半导体的导电 本征半导体的特征 本征半导体的特征 本征半导体的特征 本征半导体的特征 本征半导体的特征 杂质半导体 n型半导体 p型半导体 杂质半导体的特征 n型半导体的特征 n型半导体的Fermi能级位置 n型半导体的导电率 Chapter 2 An Introduction to Solid State Chemistry 2.2 固体的晶体结构 1. 简单金属 1 简单金属结构型式 2 密堆积结构 3 体心立方结构 4 各种晶体结构的基本参数 5 常见金属的晶体结构 2. 合金 i 置换型固溶体 能形成连续固溶体的体系和其原子半径偏差 有序固溶体和超格子—以Au-Cu为例 ii 填隙型固溶体 填隙型固溶体—例1 填隙型固溶体—例2 2 金属间化合物 上述的如Si, Ge等禁带宽度窄，电子可以通过热激发从价带跳到导带，这种仅仅因热激发产生导电现象的半导体称半征半导体。 本征半导体 Intrinsic semi-conductor 本征半导体中因电子的激发而留下空穴 hole ，空穴同电子一样也能够导电，因而可以说本征半导体中的载流子，既有电子又有空穴。 EV EC 可以证明，在某温度T下，导带中电子数为 me*为电子的有效质量，令： Nc具有导带底部能态密度的物理意义 导带中电子数与温度、导带底能量和体系的费米能级有关 可见： EC－EF 越大，ne越小 温度项 贡献较大, 温度越高, ne越大 EV EC 可以证明，在某温度T下，价带中空穴数为 mh*为空穴的有效质量，令： NV具有价带顶部能态密度的物理意义 价带中空穴数与温度、价带顶能量和体系的费米能级有关 EV EC 对于本征半导体：ne nh 如me* mh*则： 体系的费米能级位于导带和价带中间 EF EV EC 对于本征半导体：ne nh EF EV EC 本征半导体的导电率： me和mh分别为电子和空穴的迁移率 本征半导体的导电率： lns 对1/T 应接近一条直线 me和mh一般随温度上升而下降，假定这种变化相对于指数项较小，可以忽略，则 lns 1/T 本征半导体理论预测 lns 1/T Ge3 Ge2 Ge1 Ge半导体导电率 本征半导体的性质仅在高温时显著呈现出来，常温下杂质的影响至关重要 非本征半导体其电导的来源为杂质。 杂质的来源：外来的其它种原子或离子，或化合物中某一组份化学计量的缺少。 杂质半导体的分类：n型和p型。 其中杂质效应是提供电子的传导。如Si中含P, As, Sb等杂质时，这些高价杂质进入Si的晶格，会多出1个e,　它将电离出1个电子到导带，故被称为施主 donor 。 施主也可以是阳离子过量的化合物 或阴离空位 , 如ZnO Zn1+XO 是典型半导体。而实际上ZnO中的ΔEg 3.2ev很大，但EC-ED 0.05ev. Si Si Si Si Si Si Si Si P+ e ED EV EC Zn2+ Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- O2- Zn2+ e Zn2+ ED EV EC P型半导体则是提供空穴电导。例如在Si中引入B等低价杂质, 为了形成四配位，它必须接受1个电子，则会形成1个空穴，B称为受主（acceptor）。 同样某些非计量化合物也可是P型半导体，如NiO, Cu2O，其中阳离子缺位。为保持电中性，某些阳离子就必须带较多正带荷如Ni3+,Cu2+，这些相当于空穴。 Si Si Si Si Si Si Si Si B－ e+ Ni2+ Ni2+ O2- Ni3+ O2- Ni3+ O2- O2- EA EV EC EA EV EC 对任一n型或P型半导体，如果杂质浓度已知，在某一温度下平衡时，导带电子或满带空穴的数目可计算出来。 现考虑n型半导体 Nc导带底部空态的密度 平衡时： 导带底