场波教案-7平面电磁波1--44.pptVIP

第七章 平面电磁波;7. 平面波垂直投射多层媒质中 8. 任意方向传播的平面波 9. 平面波斜投射到两种理想介质分界面 10. 无反射与全反射 11. 平面波斜投射到两种导电媒质分界面 12. 平面波斜投射到理想导电表面 13. 等离子体中的平面波 14. 铁氧体中的平面波;1. 波动方程 ; 若所讨论的区域中没有外源，即 J = 0 ，? = 0，则上述波动方程变为;对正弦电磁场齐次波动方程变为 ;在直角坐标系中，若时变电磁场的场量仅与一个坐标变量有关，则该时变电磁场的场量不可能具有该坐标分量。;1.等相位面： 在某一时刻，空间具有相同相位的点构成的面称为等相位面。 等相位面又称为波阵面。;;2.2、 理想介质中正弦均匀平面波电场强度的通解;上述方程通解为; 电场强度随着时间 t 及空间 z 的变化波形如图示。;2.3、均匀平面波的基本参数; 根据相位不变点的轨??变化可以计算电磁波的相位变化速度，这种相位速度以 vp 表示。令 常数，得 ，则相位速度 vp 为 ;由上述关系可得;给定电场强度后，根据麦克斯韦方程中的电磁感应定律，磁场强度 H 为 ;在理想介质中，均匀平面波的电场相位与磁场相位相同，且两者空间相位均与变量 z 有关，但振幅不会改变。;左图表示电场及磁场随空间的变化情况。;横向：与波的传播方向相垂直的方向。;根据电场强度及磁场强度，即可求得复能流密度矢量 Sc ;若沿能流方向取出长度为 l ，截面为 A 的圆柱体，如图示。 ;已知 ， ，代入上式得 ;例 已知真空中均匀平面波电场强度的瞬时值为 ;3. 导电媒质中的均匀平面波 ;若令;电场强度可表示为;导电媒质中的相速;导电媒质中的波阻抗 Zc ;;下面分别讨论两种特殊情况。 ;第二，若 ，如良导体，可以近似认为 ; 为了描述平面波在良导体中的衰减程度，通常把场强振幅衰减到表面处振幅 的深度称为透入深度，以? 表示，则由;对应于比值 的频率称为界限频率，它是划分媒质属于低耗介质或导体的界限。; 这些数据说明：一般厚度的金属外壳在无线电频段有很好的屏蔽作用，如中频变压器铝罩、晶体管的金属外壳等都很好地起屏蔽作用，但对低频无工程意义。低频时可采用铁磁性导体（如铁 S/m， ， ）进行屏蔽。;电导率? 引起热损耗，所以导电介质又称为有耗介质，而理想介质又称为无耗介质。;解 ①;波长为 ;在 z = 0.8m 处，电场强度及磁场强度的瞬时值为;4. 电磁波的群速; 由于 ， ，因而在一个足够小的时间间隔内，上式中的第一个余弦项尚未发生明显变化时，第二个余弦项已经历了几个周期的变化，所以 代表载频， 代表调制频率。;; 若媒质是无色散的，振幅形成的包络随载波一起运动，在运动过程中，载波及包络都保持正弦波形。因此可以根据包络上的等相位点求出波包的移动速度，该速度称为群速，以 表示。由 ，求得群速 为;再由 ，求得载波相速 为; 上图给出了当 时，上述窄带信号在三个不同时刻的波形。载波以相速传播，包络以群速传播。 为包络等相位点，P 为载波等相位点。当P 点 位移为d 时，由于包络速度较慢， 点仅位移 。因此，经过一段时间传播后，包络变形，导致信号失真。 ;因