ch01-半导体中的电子和空穴.pptVIP

;;当硅原子形成硅单晶时，每个硅原子与四个最近临硅原子共享它们的价电子，形成共价结合。在绝对零度时，所有的电子都被束缚在这些共价键上，电子不能在外电场的作用下自由运动。;如果共价键中的电子获得足够的能量，就可以摆脱共价键的束缚，成为在晶体中自由运动的电子。这时在原来的共价键上就留下了一个空位，因为邻键上的电子可以跳过来填补这个空位，从而使空位转移到邻键上去。所以，空位也是可以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的。电子和空穴统称为载流子。;载流子数目的控制－掺杂;半导体术语中的掺杂是指控制半导体中特殊杂质原子的数量，从而有目的地增加电子或空穴的浓度 几乎所有半导体器件的制造中都会控制半导体材料中掺入的杂质数量，通常杂质浓度的范围是（1014～1020）cm-3。 纯净的单晶半导体称为本征半导体，掺入微量杂质的半导体叫杂质半导体或非本半征半导体。;掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提 供导电的电子而本身成为带正电的离子（此过程称为杂质电离），这种杂质称为施主杂质，如 在Si中掺入V族的P 和As。;受主(Acceptor)掺杂;原子中电子的量子态和能级;能带示意图;导带;导带;;动量空间中的能带图;杂质能级－用能带模型解释掺杂作用;用能带解释（a）施主杂质（b）受主杂质;当一块半导体中同时含有施主和受主杂质时，受主和施主在导电性上会相互抵销，这种现象叫做杂质的“补偿” 。 在有补偿的情况下，决定导电能力的是施主和受主浓度之差。 当施主数量超过受主时，半导体就是N型的；反之，若受主数量超过施主，则是P型的。;1.4 半导体、 绝缘体和导体;晶体中载流子运动中表现出的质量称为有效质量，它反映了晶体内部势场和量子力学效应。 在外力作用下，载流子的运动方程：;半导体中总是同时存在电子和空穴。电子和空穴统称为载流子。 电子和空穴的来源：本征热激发、杂质电离。 本征半导体：没有杂质的半导体。本征半导体中载流子来源于本征热激发，电子浓度等于空穴浓度。 杂质半导体：掺有施主或受主杂质的半导体，分为N型和P型。;N型半导体内电子浓度大于空穴浓度，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 P型半导体内空穴浓度大于电子浓度，空穴称为多数载流子，电子称为少数载流子。 导电电子带负电荷，空穴带正电荷，载流子电荷的大小是q，两种类型的载流子q是相同的，q=1.60×10-19C;wafer： 尺寸 晶面 导电类型（电阻率）;1.6 态密度－允许的量子态按能量的分布;1.7 热平衡与费米分布函数;载流子的分布情况～费米能级;对于本征半导体，设;非简并的半导体的平衡载流子浓度的乘积np等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。;均匀掺杂的半导体内部电中性条件如下：;杂质半导体多子和少子浓度的计算;, ;费米能级Ef 的确定;N型：Ef在禁带中央以上，P型：Ef在禁带中央以下;;载流子浓度与温度的关系