VLSI-12第五章薄膜淀积(上).pptVIP

集成电路工艺原理;大纲 ;半导体薄膜：Si 介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，… 金属薄膜：Al，Cu，W，Ti，… ;1）化学气相淀积 — Chemical Vapor Deposition (CVD) 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如：APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD 2）物理气相淀积 — Physical Vapor Deposition (PVD) 利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。 例如：蒸发 evaporation，溅射sputtering;除了CVD和PVD外，制备薄膜的方法还有:;外延：在单晶衬底上生长一层新的单晶层，晶向取决于衬底;CMOS栅电极材料；多层金属化电极的导电材料;Chemical Vapor Deposition (CVD);对薄膜的要求;化学气相淀积（CVD）;(1)反应剂被携带气体引入反应器后，在衬底表面附近形成“滞留层”，然后，在主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面 (2)反应剂被吸附在硅片表面，并进行化学反应;F1是反应剂分子的粒子流密度 F2代表在衬底表面化学反应消耗的反应剂分子流密度;hG 是质量输运系数（cm/sec）;设;Y一定时， v 由hG和ks中较小者决定 1、如果h