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第二章 MOS晶体管 ;2.1 引 言 ;MOS晶体管的介绍;MOS器件根据沟道的特性分为n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管； 在NMOS晶体管中载流子是电子； 在PMOS晶体管的载流子是空穴。 有时也将n沟道MOSFET和P沟道MOSFET，简记作NMOS和PMOS。 ;;根据栅压为零时导电沟道是否已经形成，又可将MOS晶体管分为增强型与耗尽型两类晶体管。 零栅压时，导电沟道未形成，无漏极（沟道）电流的晶体管称为增强型管 零栅压时，导电沟道已经形成，有漏极（沟道）电流流过的晶体管称为耗尽型管。 ;NMOS增强型晶体管和耗尽型晶体管漏极电流与栅极电压的关系曲线 ; 2.2 MOS晶体管工作原理 ;增强型NMOS晶体管导电机理 ;增强型NMOS晶体管的电流方程 ;MOS晶体管典型的输出特性曲线 ;;参数μn是电子的表面迁移率，它的定义是 ：; 一个典型的NMOS晶体管参数是 μ0=1250cm2/V·s ε=4ε0=4×8.85×10-14F/cm tox=1000? 所以它的导电系数为：;参数μn 、 ε、 tox是与工艺，材料有关的量。当制造工艺确定后，是不能随意改变的。 MOS晶体管沟道宽度W 与长度L 是MOS晶体管设计时一对重要的几何参数 ，是设计者能够控制改变的唯一一组参数。; 在半