集成电路的制作工艺答案.ppt

集成电路制造工艺;集成电路设计与制造的主要流程框架;芯片制造过程;芯片制造过程;图形转换：将设计在掩膜版上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜;一、图形转换：光刻; 光刻机;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;光刻过程： 第一步：涂胶 第二步：预烘; 第三步：曝光 第四步：显影 第五步：后烘;几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式;超细线条光刻技术 甚远紫外线(EUV) 电子束光刻 X射线 离子束光刻;图形转换：刻蚀技术;图形转换：刻蚀技术;干法刻蚀;二、杂质掺杂;扩 散;杂质横向扩散示意图;固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等;;利用液态源进行扩散的装置示意图;;离子注入;离子注入系统的原理示意图;离子注入到无定形靶中的分布情况;掺杂工艺存在的主要问题：对衬底晶格的损伤。 离子注入后，一般都要经过退火处理。;退 火;三、制膜 1、氧化工艺;氧化硅层的主要作用;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;;2、化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);APCVD反应器的结构示意图; LPCVD反应器的结构示意图;平行板型PECVD反应器的结构示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);3、物理气相淀积(PVD);蒸发原理图;;;小结：集成电路工艺;3-2 接触与互连;接触孔和通孔 ;3-3 芯片封装??艺;（1）封装工序流程;（2）管芯分割工艺; （3）芯片粘贴;（4）引线键合; （5）模压（塑封） （6）封装分类;