第七章固体成像器件-刘星.ppt

第7章 固体成像器件; 1969年秋，美国贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith受磁泡的启示，提出了CCD的概念。CCD是英文Charge Coupled Device的缩写，中文为 “电荷耦合器件”。 ;高锟——光纤之父 ;§7.1 电荷耦合器件; ;7.1.2.电荷耦合原理与电极结构; 当t=t2时，①电极和②电极均加有+10V电压，且两电极靠得很近，这样①电极和②电极下面所形成的势阱就连通，①电极下的部分电荷就流入②电极下的势阱中。 当t=t3时，①电极上的电压已由+10V变为+2V，下面的势阱由深变浅，势 阱内电荷全部移入②电极下的深势阱中。 由上面过程可知，从t1→t3 ，深势阱从①电极下移动到②电极下面，势阱 内的电荷也向右转移了一位。如果不断地改变电极上的电压，就能使信号电荷 可控地一位一位地顺序传输，这就是电荷耦合。 ; ; 光注入，这时输入二极管由光敏元代替。固体图像器件的光敏元主要有：光电导体、MOS二极管、PN结光电二极管和肖特基势垒光电二极管。摄像时光照射到光敏面上，光子被光敏元吸收产生电子一空穴对，多数载流子进入耗尽区以外的衬底，然后通过接地消失，少数载流子便被收集到势阱中成为信号电荷。当输入栅开启后，第一个转移栅上加以时钟电压时，这些代表光信号的少数载流子就会进入到转移栅下的势阱中，完成光注入过程。 ;三、输出部分 输出部分由输出二极管、输出栅和输出耦合电路组成，作用是将CCD最后 一个转移栅下势阱中的信号电荷引出。 ;7.2 电荷耦合器件的分类; 作为摄像器件则常将光敏区和转移区分开，从而构成单边传输结构和双边传输结构。; ; 行间转移(内线转移)结构采用了光敏区与转移区相间排列方式。这相 当于将若干个单边传输的线阵CCD图像传感器按垂直方向并排，底部设置一个水平读出寄存器，其单元数等于垂直并排的线阵CCD图像传感器的个数，如下图所示。 ;7.3 CCD摄像机分类; ;①像增强器与CCD芯片耦合模式 ;②电子轰击模式（ E-BCCD ）; ; 为了提高探测效率，人们自然会想到采用减薄背照CCD来探测紫外光， 但是减薄后的硅表面会形成天然的氧化层，这种氧化层即使很薄(5nm以下) 也会影响整个传感??的性能，因为Si-SiO2的界面态对光生载流子的复合会 损失许多有用的信号电荷。同时界面态俘获和释放电荷的过程还会影响期 间的稳定性。解决的办法，一是采用各种“背堆积”(Back-accumulation) 技术减小界面态作用，二是涂覆某些荧光物质，如六苯并苯(Coroneoe)把 紫外光转换成0.5μm附近的荧光，利用硅CCD的吸收，并起抗反射涂层的作 用。也有人认为采用水杨酸钠和红宝石混合物更好，因为水杨酸钠荧光区 为0.4~0.5μm，正好是红宝石的吸收带，而红宝石的强荧光区为 0.60～0.77μm，这接近硅的响应峰值。;7.4 CCD的性能参数; CCD受光照的方式有正面受光和背面受光两种。 背面光照的光谱响应曲线与光电二极管相似，如下图中曲线2。如果在 背面镀以增透膜减少反射损失而使响应率有所提高，如图中曲线3。 正面照射时，由于CCD的正面布置着很多电极，光线被电极多次反射和 散射，一方面使响应率减低，另一方面多次反射产生的干涉效应使光谱响 应曲线出现起伏，如图中曲线1所示。 为了减小在短波方向多晶硅的吸收，用SnO2薄膜代替多晶硅薄膜做电极，可以减小起伏幅度。; CCD由很多分立的光敏单元组成，根据奈奎斯特定律，它的极限分辨率 为空间采样频率的一半，如果某一方向上的象元间距为p，则在此方向上象 元的空间频率为1/p(线对/毫米)，其极限分辨率将小于1/2p（线对/毫米）。 如果用TVL（电视线）来表示，在某一方向的象元个数就是极限TVL数， 显然TVL数的一半与CCD光敏面高度尺寸的比值就是相对应的线对/毫米数。 若用调制函数来评价CCD的图像传递特性，那么，CCD的总调制函数MTF 取决于器件结构（象元宽度、间距）所决定的几何MTF1 、载流子横向扩散衰 减决定的MTFD 和转移效率决定的MTFT ，总的MTF等与三者的乘积。并且总MTF 随空间频率的提高而下降。 ;7.4.5暗电流和噪声;光电二极管有两种阵列型式: 一种是普通光电二极管阵列，它是将N个光电二极管同时集成在一个硅片上，将其中的一端（N端）连接在一起，另一端各自单独引出。像元数只有几十位，为连续工作方式。 另一种是自扫描光电二极管阵列SSPD，在器件的内部还集成了数字移位寄存器等电路，工作在电荷存贮方式。; 但是光电二极管的面积很小，输出光电流是很微弱