应用光电 第四讲.ppt

* * 3.5.3 固体激光器 最有代表性的是红宝石激光器和钕钇铝石榴石（Nd3+:YAG）激光器。我们具体分析一下红宝石激光器。 特点：体积小，结构稳，易维护，输出功率大且适于调Q产生高功率脉冲、锁模产生超短脉冲 红宝石激光器的结构如下图所示。棒状红宝石（Al2O3）单晶体中掺入0.05%的铬离子（Cr3+），Cr3+为激活粒子，产生受激辐射发光。脉冲氙灯为泵浦源，它位于椭圆柱形聚光镜的一个焦点上，发出的强光经聚光镜反射后，被位于另一个焦点的红宝石棒吸收，形成Cr3+的粒子数反转，发出受激辐射。红宝石棒的两个端面研磨抛光再镀以多重介质膜，形成两个反射镜构成谐振腔，对受激辐射进行放大，最后输出激光。红宝石激光器输出694.3nm的红色激光。 * * 红宝石激光器结构 红宝石激光器结构原理 特点：体积小，结构稳，易维护，输出功率大且适于调Q产生高功率脉冲、锁模产生超短脉冲 * * 红宝石激光器 1960年梅曼研制成功世界上第一台可实际应用的红宝石激光器。它标志着激光技术的诞生 * 红宝石激光——能级结构 红宝石晶体在光泵激励下，处于其态4A2的Cr3+，吸收能量后跃迁到激发态4F1和4F2上，粒子在4F1和4F2上的寿命很短，约为10-9s。由于晶体内部晶格振动，大部分粒子通过无辐射跃迁，到达亚稳态能级2e上，因其能级寿命较长，约为3×10-3s。因此2e上积累大量粒子，在2e与4A2（基态）间形成粒子数反转分布，受激辐射将产生694.3nm和692.nm的谱线输出。由于R1线（λ 694.3nm）比R2线（λ 692.9nm）的荧光强度大，R1线先达阈值输出激光。因此，通常红宝石激光器的输出波长为694.3nm。 * * 3.5.3 半导体激光器 与发光二极管类似。半导体p-n结为激活介质，加电（电注入）实现导带价带之间的粒子数反转，发出受激辐射，再由晶体解理面构成谐振腔对光进行放大，输出激光。 不同材料的半导体激光器输出波长不同，一般在0.33μm~44μm之间。常见的GaAs输出波长为0.83μm~0.91μm。 * * 半导体激光器 * * 半导体激光器 光电子学的飞速发展主要是建立在量子力学和材料科学的发展上的，其中尤其瞩目的就是光电子半导体的发展。LED，?LD这些神气的电子器件便是这一发展的结果，尤其是近期有机光电材料的发展，更加是极大的推动着光电材料的进步。 首先半导体为什么会发光？ * * 半导体激光器 半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的pn?结或pin?结为工作物质的一种小型化激光器.半导体激光工作物质有几十种，目前已制成激光器的半导体材料有砷化稼 GaAs? 、砷化铟 InAs 、氮化镓（GaN 、锑化铟 ?InSb 、硫化镉 ?CdS? 、蹄化镉 CdTe? 、硒化铅 PbSe 、蹄化铅 PbTe? 、铝镓砷 A1xGa1-xAs 等. * * 场致发光 PN?结场致发光-受激辐射 Vp-n Eg/e 若果正向偏压足够强，满足 则能形成和热平衡状态相反的载流子分布， 也就是离子束反转 + - * * 半导体激光器 半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式、光泵式和高能电子束激励式.?绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入，即给pn?结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射，也就是说是个正向偏置的二极管，因此半导体激光器又称为半导体激光二极管.对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值，这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上.它们所发出的波长在?0.3?-34um?之间 * * 半导体激光器 世界上第一只半导体激光器是1962?年问世的，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高，其制作技术经历了由扩散法到液相外延法 LPE ，气相外延法 VPE ，分子束外延法 MBE ,MOCVD?方法 金属有机化合物汽相淀积 ，以及它们的各种结合型等多种工艺. * * §3.6 激光脉冲技术 普通激光器输出的光脉冲只是一群宽度只有微秒量级、强度不同的小尖峰脉冲序列。 激光短脉冲技术包括：激光调Q技术和激光锁模技术。 3.6.1 脉冲激光器的尖峰效应 不加任何特殊装置的固体脉冲激光器，在一次输出中，激光 脉冲的宽度大约是ms的数量级。而且这个脉冲并不是平滑的，包含着很多宽度更窄的短脉冲序列，其中每一个短脉冲宽度只在微秒量级，而且随着激励的增强短脉冲的时间间隔越小。这种现象被人称做弛豫振荡效应或尖峰振荡效应 * * 一个短脉冲的形成和消失,可以由激光系统反转粒子数密度的增减变化来解释. 造成系统反转粒子数密度增加的因素是光泵的激励，其