四种典型全控型器件比较探析.doc

 PAGE 10 四种典型全控型 器件的比较 四种典型全控型器件的比较 对四种典型全控型器件的介绍 1、门极可关断晶闸管(GTO) 1）GTO的结构与工作原理 芯片的实际图形 GTO结构的纵断面 GTO结构的纵断面 图形符号 GTO的内部结构和电气图形符号 2）工作原理：设计a2较大，使晶体管V2控 制灵敏。导通时a1+a 2= 1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。下图为工作原理图。 2222 2、电力晶体管(GTR) 1）电力晶体管的结构： 内部结构 电气图形符号 NPN型电力晶体管的内部结构及电气图形符号 2）工作原理： 在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路，GTR通常工作在正偏(Ib＞0)时大电流导通；反偏(Ib＜0)时处于截止状态。因此，给GTR的基吸施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。 3、电力场效应晶体管(Power MOSFET) 1）电力MOSFET的结构 MOSFET元组成剖面图 图形符号 电力MOSFET采取两次扩散工艺，并将漏极D移到芯片的另一侧表面上，使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。 2) 电力MOSFET的工作原理： 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源极之间电压为零或为负时，P型区和N-型漂移区之间的PN结反向，漏源极之间无电流流过。如果在栅极和源极间加正向电压UGS，由于栅极是绝缘的，不会有电流。但栅极的正电压所形成的电场的感应作用却会将其下面的P 型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P型区表面。当uGS大于某一电压值UGS(th)时，栅极下面的P型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型反型成N型，沟通了漏极和源极。 此时，若在漏源极之间加正向电压，则电子将从源极横向穿过沟道，然后垂直(即纵向)流向漏极，形成漏极电流iD。电压UGS(th)称为开启电压，uGS超过UGS(th)越多，导电能力就越强，漏极电流iD也越大。 4、绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1）基本结构 内部结构 简化等效电路 电气图形符号 2) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理： IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压uGE决定的，当uGE为正且大于开启电压uGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。当栅极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管无基极电流，IGBT关断。 PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成的IGBT称为N沟道IGBT，记为N-IGBT。对应的还有P沟道IGBT，记为P-IGBT。N-IGBT和P-IGBT统称为IGBT。由于实际应用中以N沟道IGBT为多。 对四种典型全控型器件进行容量及频率比较 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。目前，GTO的容量水平达6000A/6000V、 1000A/9000V ，频率为1kHZ。 GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。　 电力场效应晶体管电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 IGBT属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。它的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。 功率一览 器件名称电力MOSFETIGBTGTRGTO电压/V1000250018006000电流/A10010004006000 工作频率由高到低 器件名称电力MOSFETIGBTGTRGTO开关频率3M50K30K10K 对四种典型全控型器件进行驱动方式及驱动功率比较 1、门极可关断晶闸管(GTO) 对门极驱动电路的要求： 1）正向触发电流iG。由于GTO是多元集成结构，为了使内部并联的GTO元开通一致性好，故