第2章半导体器件基本原理教程方案.pptVIP

讲 课 的 原 则;教 学 参 考 书;第2章 半导体器件基本原理;本 章 的 学 习 要 求;1、半导体的基本知识;物体导电性能取决于由自由电子浓度;价 电 子;本 征 半 导 体;自由电子;本征半导体的导电机理;电子电流与空穴电流;温度越高，本征半导体载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度对半导体材料和器件性能的影响是半导体的一大特点。;电子;通过掺杂，半导体材料中电子载流子数目将比本征激发的载流子多几十万倍。 掺杂激发的载流子浓度主要取决于掺杂的浓度，体材料的性能可以得到很好的控制。;P型半导体材料;这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴型半导体或P（Positive）型半导体。多数载流子为空穴。;对比P型半导体和N型半导体;为什么要对半导体采用搀杂工艺;空穴到底是什么？ 搀杂半导体中，电子空穴还是成对产生的吗？ N型半导体中的自由电子多于空穴，P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，P型半导体带正电？ P、N型半导体中是否存在“净”电荷或是静电场？;2、PN结;1、P型和N型半导体相邻； 2、由于两者空穴和电子浓度的差别，电子和空穴在交界处产生扩散运动； 3、扩散到对方的载流子由于浓度较低，称为少数载流子； 4、P型区由于空穴的扩散，留下带负电的原子，而N型区由于电子的扩散，留下带正电的原子；;5、由于带电的原子被束缚在晶格结构中无法移动，因此在交界面附近将形成一个空间电荷区，由于该空间电荷区的载流子已扩散殆尽，因此又称为载流子的耗尽区； 6、空间电荷区中存在的带电原子将在空间电荷区中建立内部电场； 7、内部电场的建立和加强，使得漂移的影响越来越大，并将阻碍电子和空穴扩散运动的发展； 8、最终，内部电场必将与扩散运动平衡，形成稳定的PN结。硅PN结的接触电势差约为0.7V；;课 堂 讨 论;不同偏置条件下的PN结;PN结正偏置;课 堂 讨 论;扩散与漂移效果的平衡，一方面将是耗尽区保持稳定，另一方面也将使少数载流子的浓度随距PN边界的距离增大而下降。;PN结正向偏置状态总结;外电场增强会引起更多的少子注入。 由于内部电场被外部电场更多地削弱，漂移作用被大大抑制。 在两种相反作用的影响下，正向电流显著增加。;PN结反偏置;PN结正向偏置与反向偏置的比较;PN结的伏安特性（单向导电性）;PN结的结电容;PN结的热效应;预 习 问 题