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相变存储器Phase Change Memory ;一、相变存储器研究背景及相变材料 二、相变存储器概述 三、相变存储器应用;1. 相变存储器研究背景及相变材料;1.a 相变存储器发展背景;1.a 相变存储器发展背景;2014年3月6日，以“全芯科技，全新启航”为主题的“宁波?时代全芯PCM芯片建设项目奠基仪式”在宁波鄞州工业园区隆重举行。 ;1.b 相变材料 相变原理; 相变存储（PRAM）由于具有能耗低、读写速度快及存储密度高等优点，被认为是最有希望替代闪存的下一代非挥发性存储技术，近些年已经成为国际上关注的热点。;可见焦耳热控制着整个相变存储过程。只有有效的限制热在材料内部的扩散，既实现在局部最小面积上快速加热，又避免热对相邻存储单元的交叉影响，才能获得耗能更低、体积更小的PRAM设备。因此，相变材料的热传导性能研究PRAM结构优化的最关键因素，并决定着PRAM能否早日进入实际应用。;常用材料——GST;GST材料的特点;改进GST性能手段—掺杂;Ge2Sb2Te5薄膜相变过程中存在两个阶段：非晶态到面心立方（FCC）的转变，和FCC到六方密堆积结构（HCP）的转变。它在非晶态，FCC和HCP结构中分别表现出半导体，半金属和金属特性，即Ge2Sb2Te5薄膜可以实现多值存储。;（a）对应的是未掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜，（b）——（d）对应N的掺杂量分别是6.44 × 1015，1.93 × 1016 和 4.51 × 1016 cm?2的Ge2Sb2Te5薄膜;掺N有助于促进Ge2Sb2Te5薄膜的多值存储，但是掺杂量不能超出一定的范围。另外，从图中可以看到掺N的Ge2Sb2Te5薄膜的阻值比纯Ge2Sb2Te5薄膜的阻值要高，并且随着掺杂浓度的增多而增大，这有利于减小写电流，降低功耗。因此为了同时达到多值存储和增大阻值，合理选择掺N的浓度是十分必要的。;总之，Ge2Sb2Te5(GST)是目前找到的最为理想的相变材料，然而其各项性能仍需要不断的提高完善，需要在相变材料的结构稳定性、电阻稳定性、相位分割清晰以及加快结晶速度等几个方面进一步研究探讨。在此过程中，我们仍需要去寻找新的性能更加优良相变材料，使之能够最大限度地发挥PCM的优越性.;2. 相变存储器概述;2.a 工作原理;2.a 工作原理;2.a 工作原理;2.a 工作原理;2.a 工作原理;2.a 工作原理;2.a 工作原理;2.b 相变存储器基本性能;2.b 相变存储器基本性能;2.b 相变存储器基本性能;2.b 相变存储器基本性能;2.b 相变存储器基本性能;2.c 相变存储器基本性能;2.b 相变存储器结构;2.b 相变存储器结构;2.b 相变存储器结构;2.b 相变存储器结构;2.b 相变存储器结构;2.b 相变存储器结构;2.b 相变存储器结构;3.a PCM的优势;PCM的优势;PCM没有机械转动装置，而是基于微型存储单元的相变来存储数据并具有低电压的特性（0.2Ｖ～0.4Ｖ）。同时由于相变存储器的非易失性，保存代码或数据也不需要刷新电流，所以无论是相比传统硬盘还是闪存甚至DRAM，PCM 都更加节能，是非常理想的下一代绿色存储器。;替代计算机系统的主存;替代硬盘;替代闪存。;研究PCM存储检查点（checkpoint）信息。;德国宇航中心研究PCM在航天器等领域的嵌入式应用；;IBM相变化储存系统电路板原型;智能电表;容量(KB)： 16~128 使用：高端三相 用途：秒级实时记录;智能电表;PCM存在的问题;年份;年份;年份;Thank you for your time！