第4章双极型晶体管(new).ppt

第4章 双极型晶体管及其放大电路 ;4–1 双极型晶体管; ; 图4–1晶体管的结构与符号 (a)NPN管的示意图；(b)电路符号；(c)平面管结构剖面图;分类：;4–1–2 工作原理 二极管两端加不同电压会产生不同电流（正向导通，反向截止）。晶体三极管也是，当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下，三极管才能具有正常的控制作用，各个电极才能发挥作用。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。管内载流子的运动情况可用图4--2说明。我们按传输顺序分以下几个过程进行描述。; ; 一、发射区向基区注入电子 由于e结正偏，因而结两侧多子的扩散占优势，这时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区，形成电子注入电流IEN。与此同时，基区空穴也向发射区注入，形成空穴注入电流IEP。因为发射区相对基区是重掺杂，基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以满足IEP IEN ，可忽略不计。因此，发射极电流IE≈IEN，其方向与电子注入方向相反。 ; 二、电子在基区中边扩散边复合  注入基区的电子，成为基区中的非平衡少子，它在e结处浓度最大，而在c结处浓度最小(因c结反偏，电子浓度近似为零)。因此，在基区中形成了非平衡电子的浓度差。在该浓度差作用下，注入基区的电子将继续向c结扩散。在扩散过程中，非平衡电子会与基区中的空穴相遇，使部分电子因复合而失去。但由于基区很薄且空穴浓度又低，所以被复合的电子数极少，而绝大部分电子都能扩散到c结边沿。基区中与电子复合的空穴由基极电源提供，形成基区复合电流IBN，它是基极电流IB的主要部分。 ; 三、扩散到集电结的电子被集电区收集 由于集电结反偏，在结内形成了较强的电场，因而，使扩散到c结边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区，形成集电区的收集电流ICN。该电流是构成集电极电流IC的主要部分。另外，集电区和基区的少子在c结反向电压作用下，向对方漂移形成c结反向饱和电流ICBO，并流过集电极和基极支路，构成IC 、IB的另一部分电流??? ; 四、电流分配关系 由以上分析可知，晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间有如下关系： ; 式(4–1)表明，在e结正偏、c结反偏的条件下，晶体管三个电极上的电流不是孤立的，它们能够反映非平衡少子在基区扩散与复合的比例关系。这一比例关系主要由基区宽度、掺杂浓度等因素决定，管子做好后就基本确定了。反之，一旦知道了这个比例关系，就不难得到晶体管三个电极电流之间的关系，从而为定量分析晶体管电路提供方便。 ; 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数 为 ;确定了 值之后，由式(4–1)、(4–2)可得; 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为 ; 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 ? ? ;RL;+;4–1–4晶体管伏安特性曲线; 图4–3晶体管的三种基本接法 (a)共发射极；(b)共集电极；(c)共基极 ; 因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图4–4电路逐点测出。 一、共发射极输入特性曲线 测量电路见图4–4。共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图4–5所示。 ; 图4–4共发射极特性曲线测量电路 ;图4–5 共发射极输入特性曲线 ; (1)在uCE≥1V的条件下，当uBEUBE(on)时，iB≈0。 UBE(on)为晶体管的导通电压或死区电压，硅管约为0.5～0.8V，取 0.7 V；锗管约为0.1 ～0.3V ，取 0.2 V。当uBE UBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。 (2)当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极