第三节pn结-U-I推导(2学时).pptxVIP

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2016-07-25 发布于湖北
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第三节pn结-U-I推导(2学时).pptx

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第三节pn结-U-I推导(2学时)

2.3 Pn结----UI推导;（3）不考虑耗尽层中载流子产生和复合，因此电子和空穴电流在流过耗尽层过程中保持不变。;P;由假设(3)得：流过的空穴流与流过的空穴流一样；流过的电子流与流过的电子流一样；;处有电子增加，量为;P区：; 根据假设（4），外加正向电压 U后，pn结处于非平衡态，耗尽层两边边界处载流子浓度分布仍服从玻耳兹曼分布。;同理N区边界处空穴浓度与外加电压的关系：;非平衡态下耗尽层边界处载流子浓度增量：; 以N区空穴为例，设单位时间单位体积复合掉的非平衡载流子数为，它与载流子浓度成正比。;它反映非平衡少数载流子因复合消失的快慢。其大小直接影响半导体器件的性能。;（2）少子的扩散;目标：求分布，即少子随x的分布;假设N型区足够长，则;P;（4）扩散电流（平移纵坐标）;同理得P区少子电子在处的电子扩散电流:;四、PN结的总电流;上式即为pn结理想U-I特性方程，对于一确定PN结，为一确定值。