第二章 电子衍射原理与分析.ppt

第二章 电子衍射原理与分析;目录; §2.4 电子衍射花样的标定 §2.4.1 单晶体电子衍射花样的标定 §2.4.2 复合电子衍射花样的标定 §2.4.3 二次衍射斑点 §2.4.4 电子衍射花样的不唯一性 §2.4.5 多晶材料的电子衍射 §2.4.6 非晶态物质衍射 §2.5 影响电子衍射的因素 §2.5.1 电子衍射的误差 §2.5.2 反射球曲率的影响 §2.5.3 晶体取向的影响 §2.5.4 晶体形状对电子衍射的影响 §2.5.5 样品厚度的影响 §2.5.6 微观对称元素的影响 §2.5.7 多次衍射 §2.5.8 晶体缺陷对电子衍射的影响 ;§2.1.1 运动电子与物质的交互作用;§2.1.2 原子对电子的散射; 根据经典卢瑟福散射理论，原子核和核外电子对入射电子的散射能力，可以用相应的散射截面半径Rc与Re来表示;原子散射因子fe; 入射波Ko经过散射体A和B的散射后，得到两支散射波，其光程差;衍射波的合成;不同类型晶体点阵结构因子计算;（2）体心立方bcc;（3）密排六角hcp;注意;本节重点;§2.2 倒易点阵;倒易点阵的基矢夹角和单胞体积;倒易点阵性质;倒易点阵举例;六角点阵，其倒易点阵为旋转的六角点阵;§2.2.2 晶面间距与晶面夹角的计算;（1）面心立方，其倒易点阵为体心立方;§2.2.3 正点阵和倒易点阵的指数互换;六角晶系的密勒－布拉菲指数(四指数法）;六角晶系密勒指数（三指数）和密勒－布拉菲（四指数）的互换;(1) 晶面指数互换;本节重点;§2.3 电子衍射原理;2θ; 由衍射方程的作图法可知，衍射花样的特征取决于和反射球面相交的那些倒易阵点的分布。所以电子衍射的几何特征通常是由一个反射球面与倒易点阵相交截出的倒易空间曲面决定。由于晶体样品的点阵单胞参数是确定的，所以它的倒易阵点的空间分布也是确定的，所以与反射球面相交的倒易阵点取决于反射球面曲率的大小 。;对衍射花样的特征有重要影响的因素是入射电子束的波长，它决定了反射球面的曲率，也就影响反射球面与倒易点阵的相对位置。 在高能电子衍射的情况下，100千伏加速电压产生的电子束的波长是0.037埃，反射球的半径是27埃-1。而典型金属晶体低指数晶面间距约为2埃，相应的倒易矢量长度约为0.5埃-1。这就是说，反射球的半径比晶体低指数晶面的倒易矢量长度大50多倍。 ; 在倒易点阵原点附近的低指数倒易阵点范围内，反射球面非常接近平面。电子显微镜的加速电压越高，反射球的半径越大，在倒易点阵原点附近反射球面越接近平面。在反射球面近似为一个平面的情况下，它与三维倒易阵点交截得到的曲面为一个平面，即一个二维倒易点阵平面。在这个倒易平面上的低指数倒易阵点都和反射球面相交，满足衍射方程，产生相应的衍射电子束。所以电子衍射图的几何特征与一个二维倒易点阵平面相同。 ;零层倒易面 ; ; ;§2.3.3 偏离矢量与倒易点阵扩展;倒易点阵因样品晶体的形状和尺寸而扩展 （G为阵点中心）;由于倒易阵点具有一定形状，因此在偏离布拉格角范围±??max内，倒易点也有可能与厄瓦尔德球面相接触而产生衍射。; 倒易杆和它的强度分布;本节重点;§2.4.1 单晶体电子衍射花样的标定;基本任务 (1)确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向[uvw］； (2)确定样品的点阵类型、物相和位向。 一般分析任务可分为两大类 (1)鉴定旧结构，这种结构的参数前人已作过测定， 要求在这些已知结构中找出相符合的结构来。 (2)测定新结构，这种结构的参数是完全未知的，在 ASTM卡片中和其它文献中都找不到。 ;已知物质单晶体电子衍射花样标定的主要方法 （1）尝试校核法； （2）标准花样对照法； （3）电子衍射花样的计算模拟;(b)对于已知物质，根据ASTM卡片尝试标定出P1和P2各自的 晶面指数{hkl}。首先根据斑点所属的{hkl},任意假定 其中一个斑点的指数，如h1k1l1，再根据R1和R2夹角测量 值 与计算值相符的原则，确定第二个斑点的指数h2k2l2。 ;例子：fcc结构的Ni衍射花样的标定; 通过rd=L? 计算晶面间距并与 ASTM 比较后发现 d1=0.0805nm, ? {331} d2=0.2038nm, ? {111} 任意选择r2的 h2k2l2 为 111, 那么 r1和r2可能的选择有; 选择r1 为 ;注意;（2）标准花样对照法;（3）电子衍射花