第二章 导电材料：半导体材料.ppt

LED一般工艺流程图;树脂;二极管的封装及常见的外观;1.3 半导体材料 ;1）叶良修：半导体物理学（上册），高等教育出版社; 2）黄昆，谢希德：半导体物理学，科学出版社; 3) 刘恩科，朱秉生，罗晋生等：半导体物理学，电子工业出版社。 4) 施敏：半导体器件物理与工艺，苏州大学出版社。;半导体材料的发展历史;Moore’s Law: 每18个月，集成度提高1倍，线宽降低1半1970s: 10mm2000: 0.1mm (limit 0.08mm) Transistors per chip1970s:4004, 1,000 transistors1990s: P4, 42,000,000 DRAM  Price/bit : 1976/2000 104 Bits/chip: 2000/1976 1041990: 4M DRAM 1000RMB2000: 64M DRAM 200RMB PC:1970s: 8bits/1MHz/64k/no Hard disk2000: 64bits/1.5GHz/128M/30GB;金属、绝缘体、半导体的能带特征;2.2. 半导体材料;本征半导体;半导体??料的分类 I（按功能分类）;半导体材料的分类 III（按结构分类）;导电机理？; Si;本征半导体的导电机理;电导现象;载流子在外场中的迁移率;迁移率;常见半导体材料的迁移率（厘米2/伏秒）;2.2.1.1 元素半导体由单一元素组成的半导体，广泛应用的典型元素半导体有硅、锗，近些年金刚石也得到发展。此外，硒在电子照相和光电领域已获得应用。;硅的半导体性质比锗优良，可使用温度广，可靠性更高，且资源丰富。 硅有单晶、多晶和非晶 物理性质:晶体硅为原子晶体，熔点高(1693K)，硬而脆，间接能隙，Eg=1.12eV,单晶硅的电子迁移率：1800cm2/Vs 化学性质:非晶硅 多晶硅 单晶硅 R.T . 空气、水和酸等不反应 强碱和氟等强氧化剂及氢氟酸反应 腐蚀液(工业上)：强碱和HF-HNO3 高温 氧、水气和非金属均可作用 生成SiO2和Si3N4钝化膜;地壳里所含各种元素的质量百分比;Si: 1s22s22p63s23p2, 价电子为4;元素半导体（Si，Ge，C）的晶体结构：金刚石结构，晶格常数　a＝0.543nm（Si）　;单晶硅 (Monocrystalline silicon) 单晶体的半导体硅材料。目前已能制备250 mm（1 inch 英寸 =25.4 millimetres 毫米）以上大直径无位错单晶。制备方法有直拉法、区熔法、磁拉法等，世界上几乎所有集成电路都是硅单晶制成的，集成电路用硅占硅单晶整个用量的80%以上。此外，绝大多数的电力电子器件(可控硅、整流器等)、功率晶体管和大部分的各种类型的二极、三极晶体管和太阳电池也是用硅单晶制成的。;单晶硅材料 单晶硅材料制造过程：石英砂-粗硅-提纯和精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅-硅片切割。 SiO2（石英和砂子）+ C → Si (98-99％) + CO2 Si＋3HCI(气) →SiHCl3(液）＋H2 SiHCl3 → Si (10-12) 拉制单晶有直拉法和区熔法等;单晶体硅;多晶硅(Polycrystalline silicon) 多晶体的半导体硅材料。根据形态可分为棒状、块状及颗粒状多晶硅；根据共用途及纯度可分为直拉单晶用、区熔单晶用、探测器级、太阳电池级多晶硅。主要用途是作用单晶硅的原料，也可用作多晶硅太阳电池。;多晶硅材料 多晶硅技术：定向凝固法和浇铸法两种。 定向凝固法是将硅料放在坩埚中加以熔融，然后将坩埚从热场中逐渐下降或从坩埚底部通上冷源以造成一定的温度梯度，使固液界面从坩埚底部向上移动而形成晶锭。 浇铸法是将熔化后的硅液从坩埚中倒入另一模具中凝固以形成晶锭。;硅材料有待发展的领域 发光领域（光通讯） 如光发射二极管，激光二极管;锗单质呈银灰色的金属光泽 物理性质：质硬而脆，性质与硅相似，Eg=0.66eV, 间接能隙，电子迁移率：3800cm2/Vs 化学性质:锗不与强碱溶液作用 可溶于热浓硫酸、浓硝酸、王水和HF-HNO3、NaOH-H2O2（腐蚀液） Ge+2H2O2+2NaOH = Na2GeO3+3H2O 高温下，锗相当活泼，可与氧直接化合生成粉末状的GeO2。 ;2.2.1.2. 　本征半导体与掺杂半导体;半导体中的掺杂;本征半导体单位体积内载流子数目比较小，