第五章半导体的导电性.pptVIP

;;;;;;;;;;;;格波是声子;电子和声子的碰撞;散射的数学关系;声学波和光学波的散射;声学波的散射;纵声学波与横波相比，由于它会引起原子密度的疏密变化，产生体积变化，导致能带的改变，对电子的运动会产生较大的影响。 在一个波长范围内，一半压缩，一半膨胀。 由第一章的结论可以知道： ;具有单一极值、球形等能面的半导体，对导带电子散射的几率是;?光学波散射 1)对硅、锗等同种原子构成的半导体，作用同声学波，只有弹性散射，没有电场的作用。而对离子性晶体、光学波所产生的离子的疏密变化相当于半导体内产生了正电荷和负电荷的区域------产生了内部的附加势场。;温度低，则P0将很小，光声子数少，作用小； 温度高，则P0将增大，光声子数多，作用大。 结论：光声子主要作用于高温时的离子晶体。 (半导体在高温时的电阻主要由LO作用导致)。;其他因素引起的散射;散射几率P;2)中性杂质散射：低温下杂质完全电离，这些中性杂质因电负性不同于正常原子而对电子有一定的散射作用。 因这种散射作用很弱，只作为微扰处理。且只在低温下，当其他主要的散射都很弱时，才会起主要作用。 3)位错散射： 刃位错会出现共价键不饱和的位错中心，即负电中心，引起附加电场，导致载流子散射。对于位错密度大的材料，位错散射不能忽略。;5.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系;1.平均自由时间和散射几率的关系;N0：t = 0时未散射的电子数。t = 0 ~ dt 内被 散射电子是 ;2.电导率、迁移率与平均自由时间的关系;电导率;硅导带电子对电流的贡献;3. 迁移率与杂质和温度的关系;散射几率、弛豫时间、迁移率的数学关系;图4-13为n、p型硅的迁移率与杂质浓度和温度的关系。 高纯1013时，杂质散射弱，主要是声学波。温度越高，声子数越多，散射越大，迁移率越小：;当杂质浓度达到较高的1019cm-3时，迁移率的变化呈现出先增加再下降的较为平坦的变化方式。 在低温起作用的公式是：;杂质浓度对迁移率的影响;5.4 电阻率及其杂质浓度和温度的关系;1.电阻率和杂质浓度的关系;杂质浓度增高达到1018以上时，电阻率的曲线偏离直线，其原因分别是 ?杂质在室温下未全部电离，尤其是重掺杂情况下的简并半导体，杂质阻碍了电子的运动； ?迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。 图4-15的作用：“通过杂质浓度计算电阻率”。 例：硅中掺百万分之一的砷。 硅的浓度为：5*1022 cm -3(附表2-1)； 砷的浓度为：5* 1016 cm -3 。 对于n-Si，电阻率约为0.165 ?cm，本征Si:2.3*105 ?cm 。 反之，测出电阻率可以检验材料的纯度。 但，高杂质浓度的补偿材料：电阻率高，看似高纯。 “高纯的材料杂质多，不宜制作器件”。;2.电阻率随温度的变化;5.5 玻耳兹曼方程电导率的统计理论;1.玻耳兹曼方程;温度变化与电场变化;相体积元的电子数为： ;(2)散射作用;2 弛豫时间近似;3. 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解;4.球形等能面半导体的电导率;5.6　强电场下的效应　热载流子（仅理解基本概念）;结论;(1)无外场，载流子被散射，吸收和发射声子。平衡：载流子的平衡能量＝晶格振动能量 (2)升温：晶格振动能量增加，散射作用使晶格振动能量增加－－－保持平衡。 (3)增加弱电场：载流子的平衡能量增加，散射作用使晶格振动能量增加－保持平衡。分析： 温度升，晶格能量升；电场升，载流子能量升。 新概念：电场使载流子能量增加，该能量等效于“kT”，即载流子的运???能量对应于某个运动温度“Tc”，T为环境温度。;讨　论;2. 平均漂移速度与电场强度的关系;作业, P113：9、11、12、14、16(1,2)、19