第四章 双极结型三极管及放大电路.ppt

第 四章 半导体三极管及放大电路基础;§4.1 双极型三极管（BJT）;分类：;一. BJT的结构(两结、三层结构、三个电极);2. 制造工艺 的特点:;二. 三极管内部的电流分配与控制; 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：; 由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。;(4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子——ICN 基区的少数载流子——ICBO; IE= IEN IEN=ICN+ IBN;BJT载流子的传输过程动画; (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图;---- 发射结的反向饱和电流;RL;+;三、BJT共射极特性曲线;1. 输入特性曲线;(2) VCE介于0~1V之间时， JC反偏不够，吸引电子的能力不够强。随着VCE的增加，吸引电子的能力逐渐增强，基区复合减少,同样的vBE下 iB逐渐减小，曲线向右移动。 0VCE1V: vCE?? iB?;表示IB一定时，iC与vCE之间的变化关系;放;饱和区 　　对应于vCE ? vBE, (vCB = vCE ? v BE ? 0)的区域，集电结处于正偏，吸引电子的能力较弱。随着vCE增加，集电结吸引电子能力增强，iC增大 ;放;三极管工作情况总结;例：判断三极管的工作状态;四. 半导体三极管的主要参数; 2.极间反向电流 1)集电极 基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 ;2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO(穿透电流) ;3.极限参数 ①集电极最大允许电流ICM;③反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图所示。;三极管的安全工作区;五 温度对BJT参数及特性的影响;作 业;4.2 基本共射放大电路 ;一.共射极基本放大电路的电路组成: ;(7) vi：输入信号;静态：只考虑直流信号，即vi=0， 各点电位不变(直流工作状）。;(2) 直流通路和交流通路;+ Vi -;(3) 放大原理;0;+ Vi -;作 业 ;4.3 放大电路的分析方法;Rb;直流通路;二、 静态工作点的图解分析;直流通路;2. 动态工作情况分析;2).各点波形;+;①斜 率为-1/RL 。 （ RL= RL∥Rc ）;4). 波形失真;饱和失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。;失真动画;5).最大不失真输出;图解分析法的适用范围;三 小信号模型分析法;1. BJT的H参数及小信号模型;输出端交流短路时的输入电阻；;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;2. 用小信号模型分析共射电路基本放大电路;1) 计算电压放大倍数Av;电压增益Av;定义：;Ri;作业;4.4 放大电路的工作点稳定问题;二.射极偏置电路;2.确定工作点: Q;工作点稳定，增益下降。解决这个矛盾的方法是加旁路电容Ce。;加旁路电容;输入电阻 提高了;Ro;解：;根据直流通路求静态参数;微变等效电路求动态参数;2. 输入电阻Ri;例2:求电路的静态参数 （IB、IC、VCE)，及 动态参数（AV、Ri、Ro),;静态参数与例1结果完全相同 ;根据微变等效电路求动态参数;Ri;4.5 共集电极电路和共基极电路;(1)电压增益;Ri;共集电极电路----射极输出器(电压跟随器);二.共基极放大电路;2).动态;三种组态电路比较;作 业;单级电路:;二、多级放大电路的耦合方式;2.变压器耦合方式;n12Ri2;3.直接耦合方式:前后级直接相连;注意:求AV时,后级对前级有影响:;例:多级放大电路如图所示,求AV,Ri,Ro;VO1;Ri1 = Rb1 // rbe1 ;RL;+ Vi －;共射－共基放大电路;b;复合管;共集－共集放大电路;R1;R1;作 业;§4.7 放大电路的频率响应; 放大电路的幅频特性和相频特性，称为频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的增益不同，从而使输出波形产生失真，称为幅度频率失真，简称幅频失真。放大电路对不同频率成分信号的相移不同，从而使输