第四章 光电探测器.pptx

光电探测器;光电子发射探测器： 应用光电子发射效应制成的光电探测器称为光电子发射探测器。 ;1.光电倍增管的工作原理 下图是光电倍增管的工作原理图。图中K为光电发射阴极，D为聚焦板，D1～D10为倍增极（或打拿极），A为收集电子的阳极。倍增极间的电压逐级增加，极间电压约为80～150V。 ;2．光电倍增管的性能 光电倍增管的性能主要由阴极和倍增极以及极间电压决定。负电子亲和势材料是目前最好的光电阴极材料。倍增极二次电子发射特性用二次系数σ描述，即 如果倍增极的总数为n，且各级性能相同，考虑到电子的传输损失，则光电倍增管的电流增益M为;光电导探测器 下图为光敏电阻（以非本征n型半导体为例）分析模型 ;1.光电转换规律 图中V表示外加偏置电压，l、b和d分别表示n型半导体的三维尺寸，光功率P在x方向均匀入射，假定光电导材料的吸收系数为α，表面反射率为R，则光功率在材料内部沿x方向的变化规律为 相应的光生面电流密度j（x）为 式中e为电子电荷，v为电子在外电场方向的漂移速度，n（x）为在x处的电子密度。流过电极的总电流为; 2.光电导探测电路 典型的光电探测器在电路中的连接如下图所示。 ;从图可见，负载电阻RL两端的直流压降为 当光辐射照到探测器上时，探测器电阻Rd就发生变化，负载 电阻RL两端压降也就发生变化，这个电压的变化量就是信号 电压Vs;从上图可见，在偏压Vb作用下，通过探测器电流I为 在探测器上消耗的功率P为 经验数据－探测器的功耗不应超过0.1W/cm2，若探测 器的面积为Ad，则消耗功率不应超过0.1Ad，与最大允 许电压关系为：;信号、噪声电压随偏流变化图;3.几种典型的光电导探测器简介 光电导探测器按晶体结构可分为多晶和单晶两类。多晶类多是薄膜型器件，如PbS、PbSe、PbTe等，单晶类中常见的有锑化铟（InSb）、碲镉汞（HgCdTe）、碲锡铅和掺杂型几种。 CdS和CdSe。这是两种造价低的可见光辐射探测器（CdS：0.3～0.8μm，CdSe：0.3～0.9μm）。它们的主要特点是高可靠性和长寿命，因而广泛用于自动化技术中。 PbS。这是一种性能优良的近红外辐射探测器，是在室温条件下探测灵敏度最高的一种红外探测器，室温下的禁带宽度为0.37eV，相应的长波限为3μm。 PbTe。在常温下对4μm以内的红外光灵敏，冷却到90K，可在5μm范围内使用。响应时间约为10－4～10－5s。 InSb。这也是一种良好的近红外（峰值波长约为6μm）辐射探测器。 HgCdTe探测器。HgCdTe是由半导体CdTe和半金属HgTe采用半导体合金法混合而成的合金系统。;不同工作温度下InSb光电导探测器的光谱特性;为了提高信噪比，英国首先研 制成 扫积型HgCdTe探测器， 如图。它是由若干小的方形单 元探测器排列成的线阵探测器， 当目标的红外像点沿长条方向 扫过时，外加电场驱使光生载 流子也沿光点扫描方向迁移， 并使迁移速度与像点扫描速度 同步，这样可使信号积累（积 分输出）。若此扫积探测器由 n个单元组成，信号将是单元 探测器输出的n倍，但由于噪 声的非相关性，噪声只会增加 根号n倍，因此信噪比可提高 n1/2倍。;（6）掺杂型光电导探测器。主要是以锗（Ge）为主体材料掺有其它杂质的杂质半导体。它们主要用于8～14μm长波段内。 下图为掺杂型光电导探测器的光谱特性;表4－5 几种光电导探测器的典型特性;4.3.3 光伏探测器 利用P－N结的光伏效应而制作的光电探测器称为光伏探测器。与光电导探测器不同， 光伏探测器的工作特性要复杂些，P－N结受光照射时，即使没有外加偏压，P－N结 自身也会产生一个开路电压，这时如果将P－N结两端短接，便有短路电流通过回路。 因此利用光生伏特效应制成的结型器件有光电池和光电二极管之分，而光电二 极管又有两种工作模式，光电导和光伏式，它们由外偏压电路决定。 1.两种工作模式 一个P—N结光伏探测器用图4－42（a）中的符号表示，它等效为一个普通二极管和 一个恒流源（光电流源）的并联，如图4－42（b）所示。在零偏压时（图4－42 （c）），称为光伏工作模式。当外回路采用反偏压V时（图4－42（d）），即外加p 端为负，n端为正的电压时，称为光导工作模式。;图4－42 光伏探测器及其工作模式示意图;普通二极管的伏安特性为 式中，iS为反向饱和电流，u是探测器两端电压，e是电子电荷，因而光伏探 测器的总电流i为 式中iφ为光电流。光伏探测器的伏安特性如图4－43所示。由图可见第一象 限是正偏压状态，iD本来很大，所以光电流iφ不起重要作用，因此在这一区 域工作没有意义。第三象限是反偏压状态，这时i