05微电子工艺基础氧化工艺分析.pptVIP

第5章 氧化工艺;第5章 氧化工艺;第5章 氧化工艺;第5章 氧化工艺  一、旧事重提;2、二氧化硅的结构;2、二氧化硅的结构;硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为250埃。 如果需要得到更厚的氧化层，必须在氧气气氛中加热。 硅的氧化反应是发生在Si/SiO2界面，这是因为：Si在SiO2中的扩散系数比O的扩散系数小几个数量级。;3、二氧化硅膜的用途;3、二氧化硅膜的用途;3、二氧化硅膜的用途;3、二氧化硅膜的用途;3、二氧化硅膜的用途;3、二氧化硅膜的用途;4、二氧化硅膜的厚度;5、二氧化硅膜的获得方法;第5章 氧化工艺;第5章 氧化工艺  二、氧化膜的生长方法;1、热氧化机制;1、热氧化机制;1、热氧化机制;1、热氧化机制;1、热氧化机制;边界条件：T＝0时刻氧化层厚度假设为t0，则有：;1、热氧化机制;1、热氧化机制;B/A被称为线性速率系数；而B被称为抛物线速率系数;自然氧化层;硅（100）晶面干氧氧化速率与氧化层厚度的关系;薄氧阶段的经验公式;硅的氧化系数;计算在120分钟内，920℃水汽氧化（640Torr）过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有1000埃的氧化层。;4.4　影响氧化速率的因素;温度的影响分析;抛物线速率常数B随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）;线性速率常数B/A随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）;氯气氛的影响分析;氯对氧化速率的影响;氧化剂分压的影响分析;氧化速率常数随温度和压强的关系;硅片晶向的影响分析;掺杂的影响分析;4.5　热氧化引起的缺陷;4.6　氧化层厚度测量方法;4.7　SiO2氧化层的替代品;4.8　氧化层质量－Si/SiO2界面;固定电荷层：存在于Si/SiO2界面附近，是一些过剩的硅离子。这些过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但还没有与氧分子反应，于是形成固定电荷层。 界面陷阱电荷：硅表面出现晶格周期中断，从而导致界面处出现悬挂键，成为电子或空穴的陷阱，并在禁带中引入能级，称为界面态。 可移动离子电荷：来自钾、钠等其它碱金属离子污染，在高温和电场的作用下可在氧化层内移动，非常有害。 氧化层陷阱电荷：由氧化层内的缺陷引起。;改善Si/SiO2界面的方法;1??热氧化机制;1、热氧化机制;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;;;;;;;;;;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;2、热氧化生长方法;3、热氧化系统和工艺;3、热氧化系统和工艺;3、热氧化系统和工艺;3、热氧化系统和工艺;第5章 氧化工艺;第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法;（2）杂质再分布;（2）杂质再分布 ① SiO2/Si界面杂质的分凝效应;（2）杂质再分布 ① SiO2/Si界面杂质的分凝效应;（2）杂质再分布 ② 扩散速率;（2）杂质再分布 ② 扩散速率;（2）杂质再分布 ② 扩散速率;（2）杂质再分布 ③ 界面移动;（3）电学特性 ① 概述;（3）电学特性 ② 可动离子或可动电荷;（3）电学特性 ③ 固定离子或固定电荷;（3）电学特性 ③ 固定离子或固定电荷;2、氧化膜厚度的检测（*）;（2）比色法;（3）椭圆仪法;（4）高频MOS结构C-V法;3、氧化膜针孔的检测（*）;（2）铜缀法;第5章 氧化工艺  四、作业题;