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半导体器件物理 电子信息学院 王明湘 王子欧 2006年6月 第一章 绪论 1.学习器件物理的意义 2.本课程的基本内容 3.学习器件物理的基本方法 本课程的基本内容 CH1 课程简介 CH2 热平衡时的能带及载流子浓度 CH3 载流子输运现象 CH4 PN结 CH5 双极型晶体管及其相关器件 CH6 MOSFET及其相关器件 CH7 金-半接触及MESFET Importance of Semiconductor Industry 4 Building Blocks A 金-半接触（metal-semiconductor contact）： 整流接触（rectifying contact） 欧姆接触（Ohmic contact） B PN结（P-N junction） C 异质结 （hetero-junction interface） D 金属-氧化层-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）结构 First Transistor on Ge 贝尔实验室 First MOS Transistor 贝尔实验室 Floating Gate Transistor  nonvolatile semiconductor memory device Technology Drivers 第二章 物质结构·能带结构的形成和描述·统计描述