半导体物理学复习资料.pptVIP

杂质态上电子和空穴的分布规律 施主能级上未电离的施主杂质浓度（施主能级上的电子浓度）为 电离施主杂质浓度为 过渡区 导带电子来源于全部杂质电离和部分本征激发 强电离（饱和） 导带电子浓度等于施主浓度 高温本征激发区 n0 ND p0 ND 同上 中间电离 导带电子从施主电离产生 p0 0 n0 弱电离 导带电子从施主电离产生 费米能级 载流子浓度 电中性条件 特征 杂质半导体的费米能级 ①在器件正常工作的温度范围内，n型半导体的EF位于Ei 之上ED之下的禁带中。 ②一定温度下，EF随ND的增大而趋向ED； ③掺杂一定时，EF随温度的升高而趋向Ei； 简并半导体 简并半导体与非简并半导体的区别： 非简并 杂质浓度适中 EF位于禁带内， 且与EV，EC的距离较远 玻耳兹曼分布 简并 杂质浓度很高 EF接近EV、EC ，甚至进入导带或价带 费米分布 简并化条件 发生简并化时的杂质浓度很高，重掺杂半导体。 在室温下，简并半导体中的杂质只有很少一部分电离。 第4章 半导体的导电性 重要概念—— 漂移、迁移率、载流子散射、平均自由时间。 重要知识点—— 漂移电流密度的表达式，电导率和迁移率的关系； 半导体的主要散射机构，散射概率和温度的关系； 载流子迁移率的决定因素（杂质浓度、温度）； 杂质半导体电阻率随温度的变化关系； 电导率为： 反应载流子在电场中漂移运动的难易