07wfj0107场效应管与静态工作点.pptVIP

N沟道EMOS与NPN晶体管对比;六、场效应管的应用 1、场效应管的主要性能参数 VP：夹断电压(耗尽型FET)→ID=0。 VTH: 开启电压(增强型FET)→ID=0。 IDSS: 漏极饱和电流(耗尽型)→VGS=0。 实际应用中还需注意的参数： ▲ 漏极最大允许电流、漏极最大允许耗散 功率；; ▲ G-S间反向击穿电压、D-S间反向击穿电 压；极间电容CGS、CGD(几pF)。 ▲ Ron: 导通电阻(变电阻区)=△VDS/△ID。 ▲ gm：跨导(gm=△ID/△VGS)。表明VGS对ID的 控制能力； ▲ rgs：输入电阻(通常为∞)。 ▲ rds：漏极输出电阻，可表明沟道长度调制 效应对Id的影响。;2、场效应管的放大应用 ⑴ FET在饱和区的伏安特性可统一表示为：; ⑵ FET静态工作点 场效应管用于线性放大，也要先设置静态工作点，使之工作在饱和区。;V;解：;设静态工作点电压为VGSQ，输入交流小信号vgs ，则;令;如??考虑沟道长度调制效应 ;高频应用时，还要考虑极间电容的影响。; 解：;3、场效应管的开关应用 ⑴ FET作数字开关使用 — 数字反相器;⑵ 模拟开关～控制模拟信号通断;RL; (3)变电阻应用