15梯度复合技术与分子自组装技术.pptVIP

《复合材料制备新技术》 梯度复合技术与分子自组装技术;制备新技术简介;3.梯度复合技术（FGM）Functional Gradient Materials;3.1 研究背景; FGM的定义:选用两种不同性能的材料,采用先进的材料复合技术,使中间成分的组成和结构连续呈梯度变化,内部不存在明显的界面,从而使材料的性质和功能沿厚度方向也呈梯度变化的一种新型复合材料。;;3.2 梯度材料的研究内容;1.梯度材料的设计 包括两个方面，一是构成梯度材料的物系设计，二是热应力缓和结构设计。 物系设计主要是考虑所设计的性质要与目标环境（温度、气氛、强度）相适应；此外还需充分注意材料间的物理与化学相容性，如热膨胀率不能相差太大，两相润湿性均较好，材料制备条件的同一性（两相的烧结特性、同时致密化条件）。 热应力缓和结构设计是在选定物系的前提下梯度材料的热应力最为适宜。一是考虑材料在制备过程中的残余应力，二是考虑材料在使用条件下（温度梯度、热冲击）的响应热应力。 梯度材料的可设计性很强，要得到正确的设计结果必须经过多次设计与优化的过程。; 2. 梯度材料的制备与结构控制 这是梯度材料研究三要素的核心。制备方法很多，按照原料的状态（气、液、固），可分为15种方法。但是最常用的有化学气相沉积法（CVD）、物理气相沉积法（PVD）、颗粒排列法、薄膜叠层法、等离子熔射法、电解法和自蔓延加压合成法等。; 3.梯度材料特性评价 不同类型的梯度材料需要评价不同的特性，如热应力缓和型梯度材料主要评价它的隔热性和耐循环热冲击性能；热电变换型梯度材料主要评价其综合热电变换效率。 由于梯度材料不同于传统的均质复合材料，其评价方法不能沿用传统方法。其特性评价还在发展中。;3.3 梯度材料的制备方法;3.3.1化学气相沉积技术; 2. CVD装置与梯度材料的制备 与一般的CVD装置相同，主要由原料导入系统、反应腔体、排气系统、废气处理和加热系统、测温和控制系统构成。CVD装置与一般的CVD装置相同，主要由原料导入系统、反应腔体、排气系统、废气处理和加热系统、测温和控制系统构成。 (1)原料导入系统的核心是调???原料气体与载体气体的流量和它们的混合比。 (2)反应腔体作用是通过加热基板，使反应气体在基板上形成反应沉积，形成目的产物。; 原料系统为SiCl4-CH4-H2，将液体SiCl4作为硅源置于20℃恒温容器5中，通过H2载气将SiCl4蒸气从下方带入反应炉8内。采用高温诱导方式使石墨发热体温度迅速上升，置于发热体中的石墨基板12得到加热。利用程序器使导入的各种反应源气体的流量和混合比连续变化，反应炉内的总压力通过压力传感器控制装置10使之保持一定。; 上表是合成SiC/C系梯度材料的CVD工艺条件。左图是具有热应力最佳效果的SiC/C系梯度材料中SiC含量与SiC/C梯度膜厚的定量关系。由于合成SiC/C系梯度材料时，原料气体组成比是按时间不断变化的，所以梯度层厚度的增长速度与其中的碳含量并不呈线性关系。按此表的工艺条件，即使SiCl4-CH4-H2物系在1773K、13Kpa条件下，可以得到具有设计组成的SiC/C梯度材料。;3.3.2 物理气相沉积技术; 按对反应原料的激发方式可以把PVD分为十多种，最常用的是直接加热式的真空蒸发方法和靠离子束轰击靶的溅射法。制备梯度膜时，须通过对溅射（蒸发）速度、蒸发物质的组成、基板温度、反应性气体的导入流量进行精密控制，才能实现膜的组成与设计一致的要求。;2.物理气相沉积制备梯度材料的过程 首先将反应腔内抽真空，达到10-4Pa后导入氩气，当压力为10-1～1Pa时，中空钽电极3与如图所示的水冷铜坩锅4间发生高频放电，在钽电极与金属坩锅间形成Ar等离子体，装在坩锅中的原料固体发生熔融、蒸发，蒸发物飞向被加热的基板7与反应性气体相互作用并在基板上生成沉积膜。严格控制固体物质的蒸发量、反应性气体的导入量和比例、系统总压和各物系的分压等，就可以得到制定变化组成的梯度薄膜。; 此图是利用该成膜装置在铜基板上的得到的Ti/TiC系梯度薄膜（厚10μm）的膜组成变化分析结果（横坐标厚度指铜基板和沉积膜的厚度）；在铜基板表面首先生成金属Ti，而后随着C2H2的导入和流量的增加，TiC开始形成并且生成量逐渐增加，最后在膜外表面形成纯TiC。电子探针对膜表面的横向扫描结果表明，梯度膜中从金属Ti到陶瓷TiC的组成是连续变化的。;3.3.3 颗粒排列技术; 2. 颗粒排列技术的制备程序 由于此技术是将不同性能、不同组成、不同烧结性能的复杂混合体在同一条件下制成符合设计要求的梯度材料，所以存在许多技术要点。颗粒排列法制备梯度