2-4 单极型晶体管(场效应管).ppt

§2-4 单极型晶体管 （场效应管）; 单极型晶体管;;(a) N沟道 (b) P沟道; 2.特性曲线（以N沟道为例） ; 1)可变电阻区——D、S间等效电阻RDS 栅源电压负值↑→输出特性愈倾斜→RDS↑→称”可变电阻区” 2)饱和区（恒流区）——在放大电路中，一般就工作在这个区域 iD受 uGS控制（电压控制型），且近似线性关系（线段平行、 等间距），所以称为线性放大区或恒流区。 3)截止区（夹断区）——iD≈0 击穿区——当uGS↑↑→耗尽层的电压↑↑→栅漏间的PN结 雪崩击穿→iD↑→管子不能正常工作，不允许工作在这个区域; 1.结构与符号 （仅给出NMOS。PMOS只是衬底电流方向相反） ;2.特性曲线（以增强型NMOS为例） ;;1. 开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off) ——当uDS一定时，使iD为某一最小值（刚导通）时所外加 的G-S电压 增强型存在——UGS(th) 耗尽型存在——UGS(off) 2.饱和漏电流IDSS ——耗尽型管特有参数，且为当uGS=0时的漏电流 3.低频跨导gm——反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力 4.极限参数 ——IDM：最大漏极电流。工作时允许的最大漏极电流。 PDM：最大耗散功率。　PDM＝uDS·iD U(BR)DS：漏源击穿电压　 U(BR)GS：栅源击穿电压;2-4-4 场效应管与三极管性能比较;课前复习及提问： 1）NPN管在放大状态下各极电位的关系？ 2）三极管在共射、共集组态下的电流关系？ 3）三极管的三个工作区是什么？ 4）NPN、 PNP管的区别？ 思考题：P67 1、2 作业题：P146 2-5 预习内容：1）常用半导体发光器件的四大类型 2）七段数码管的结构及使用