2.1 三极管.pptVIP

※ 按工作频率分为低频管和高频管， ※ 按耗散功率大小分为小功率管和大功率管， ※ 按用途分为放大管、开关管和功率管， ※ 按所用的半导体材料分为硅管和锗管等。 目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型，其中硅管的使用率远大于锗管。 （1）发射区向基区注入电子 形成发射极电流IE （2）电子在基区的扩散与复合 形成基区复合电流IBN （3）集电区收集扩散到集电结边缘的电子 形成了电流ICN 形成了反向饱和电流ICBO 一、放大电路的认识 两个回路 正确的直流偏置 ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻 RC为集电极偏置电阻 输入回路 输出回路 ——共射放大电路 放大的外部条件 使发射结正偏，并提供适当的静态IB和UBE 将变化的电流转变为变化的电压 1. 三极管的内部结构名称 复习: P 基 区 N集电区 N发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 集电结 发射结 2. 三极管放大的直流偏置 3. 三极管各极电流的大小、分配关系 NPN型直流偏置电路 VCC VBB + + - - Rb Rc I B I C I E 2. 判断该三极管是硅管还是锗管？ 3.是PNP还是NPN型？ 1. 确定三个脚的极名？ 硅 看电流流向:NPN c 3.4mA ,e 3.5mA ,b 0.1mA 3.4mA 3.5mA 0.7v 4.β ? 34 思考： 0.7V改为0.2V情况怎样? 练一练　: 1 2 3 -4V -1.2V -1.4V 判断管子的类型? PNP, Uc Ub Ue 三个电极? 2. e 3.b 1. c 硅管还是锗管? 锗管 三极管共射输入特性曲线 u be u ce b e c b i e i c + - + - uBE iB iC uCE + 三极管输入电路: 对于每一个给定的uCE，都有一个相应的iB与uBE之间的关系曲线与之对应。因此，可将uCE作为参变量，从而可得到有若干条（理论上为无穷条）曲线的iB与uBE之间的共射输入特性曲线簇。 测试电路：图P2.15所示电路，图中RB为100k?，RC为1k?，VT为三极管S9013。 图P2.15 三极管共射特性曲线的测试电路 + Rc VCC RB + + - - VBB uA + _ + uCE - v v iC iB iE uBE + 测试结果曲线 iB（μA） uBE（V） 0 0.4 0.8 20 60 40 80 uCE ≥ 1v uCE 0V u be u ce b e c b i e i c + - + - uBE iB iC uCE + 特点： 1.uCE 0V时特性曲线类似于一个二极管 2.uCE ≥1V和uCE 0V的两条输入特性曲线可见，uCE ≥1V的特性曲线向右移动了一段距离，且曲线基本重合。 3.发射结电压uBE也存在一个导通电压（或死区电压、门坎电压）Uon， 4.对于小功率管， 硅管│Uon│≈0.5V， 锗管│Uon│≈0.1V。 此外，三极管正常工作时，小功率管的iB一般为几十微安到几百微安， 三极管共射输出特性曲线 u be u ce b e c b i e i c + - + - uBE iB iC uCE + 三极管输出电路 对于每一个给定的iB，都有一个相应的iC与uCE之间的关系曲线与之对应。因此，可将iB作为参变量，从而可得到有若干条（理论上为无穷条）曲线的iC与uCE之间的共射输出特性曲线簇。 测试电路：图P2.18所示电路，图中RB为100k?，RC为1k?，VT为三极管S9013。 iC + Rc VCC RB + + - - mA + VBB uA + _ + uCE - v v iB iE uBE + 图P2.18 三极管共射特性曲线的测试电路 0 0 0 0 0 0 0 0 0 iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB 0 0 2.56 3.50 3.53 3.55 3.58 3.63 3.72 3.80 iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB 20?A 0 5.26 7.23 7.30 7.32 7.39 7.56 7.81 8.01 iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB 40?A 0 7.85 10.87 10.99 11.05 11.45 11.66 12.34 12.65 iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB 60?A 0 10.23 14.20 14.35 14.42 14.58 14.85 15.82 17.04 iC/mA