2.4典型全控型器件.pptVIP

2.4 典型全控型器件;2.4.1 门极可关断晶闸管（GTO）;1. GTO的结构和工作原理;工作原理： 1.导通原理 与普通晶闸管一样，可以用双晶体管模型来分析。;α1较小， α2较大，即P1N1P2不灵敏,N1P2N2灵敏，在Ie≈0时， α1与 α2均很小，导通后逐渐增大，在IG加上电流后，由于强烈的正反馈，晶闸管导通。;在该式中，我们还可以看出：在正反馈的作用下， α1+α2会从一个较小的值逐渐增大，当α1+α2=1时，式中IG=0,即这时晶闸管已经导通，门极电流可以为零了。 而当α1+α2＞1时，晶闸管饱和导通。 当α1+α2=1时，是器件的临界导通条件 注意：由于GTO导通的条件就是α1+α2＞1，所以任何使α1、α2变化的因素都可能使其导通。如：阳极电压过高,du/dt过大，器件结温过高等。; 2.关断原理;GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：;使用中要注意的问题： 1.GTO在使用中，导通时的管压降较大，增加了通态损耗。 2.对关断负脉冲的要求较高，门极触发电路需要严格设计，否则易在关断过程中烧毁管子。 a. 门极电流应大于元件的擎住电流IL; b. 正负触发脉冲其前沿要陡，后沿要平缓，中小功率电路上升沿小于0.5μs ，大功率电路小于1μs ； c. 门极电路电阻要小，以减小脉冲源内阻。 3.由于多元集成，对制造工艺提出极高的要求，它要求必须保持所有GTO元特性一致，开通或关断速度不一致，会使GTO元因电流过大而损坏。;开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr。;GTO的关断过程电流波形;3. GTO的主要参数;最大可关断阳极电流IATO;2.4.2 电力晶体管（GTR）;电力晶体管GTR（巨型晶体管）;1. GTR的结构和工作原理;与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。;在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。;2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区;◤该图表示集电极电流IC 与集射极电压UCE的关系，其参变量为IB，特性上的四个区域反映了GTR的四种工作状态。◢ ◤在晶体管关断状态时，基极电流IB＝0，集电极发射极间电压即使很高，但发射结与集电结均处于反向偏置，即UBE≤0，UBC0，发射结不注入电子，仅有很少的漏电流流过，在特性上对应于截止区（I区），相当于处于关断状态的开关。;◤当发射结处于正向偏置而集电结仍为反向偏置时，即UBE0，UBC0，随着IB增加，集电极电流IC线性增大，晶体管呈放大状态，特性上对应线性放大区（II区）。◢ ◤当基极电流IB（IC /β）时，晶体管就充分饱和了。这时发射结和集电结都是正向偏置，即UBE0，UBC0，电流增益和导通压降UCE均达到最小值，GTR进入饱和区（IV区）。GTR工作在饱和区，相当于处于导通状态的开关。◢;GTR的开通和关断过程电流波形;开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 。;关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。;3. GTR的主要参数 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff (此外还有)： 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo 实际使用时，为确保安全，最高工